第50回 研究集会
従来Si LSIの微細化が半導体産業を牽引してきたが、近年ではコスト上昇や技術的な壁の存在により単純な微細化による発展の先行きには不透明感がある。Si半導体分野の今後の進展には、発想を転換した新しい技術が必要である。
一方、液晶ディスプレイの表示部に適用されてきたTFTの電界効果移動度が向上し、高性能な回路を絶縁基板上に形成することが可能となりつつある。このような状況の中、本研究集会では、ブレイクスルー技術であるミューチップ、カーボンナノチューブトランジスタ、ボール半導体、についてのご講演をいただき、半導体産業を支えるための次世代技術を広く議論する。同時に、次世代TFT技術はSi MOSに近づくか、さらにどのような方向を目指すべきなのかを討論する。
開催場所
東京工業大学大岡山キャンパス本館1階Ｈ111講義室
| テーマ | 半導体ブレイクスルー技術と次世代TFT |
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プログラム
13:00 - 13:05 開会の辞
13:05 - 13:35 「カーボンナノチューブトランジスタ」 二瓶 史行（NEC 基礎研究所）
13:35 - 14:05 「ボールセミコンダクターの現状と未来」 吉田 政孝（ボールセミコンダクター）
14:05 - 14:35 「世界最小のＬＳＩ：ミューチップ」 宇佐美 光雄（日立製作所）
14:35 - 14:45 休 憩
14:45 - 15:15 「SiGe薄膜の低温成長と次世代TFT」 宮尾正信（九州大学）
15:15 - 15:45 「TFTの新しい応用」 井 上 聡（セイコーエプソン）
15:45 - 16:15 「ＣＧシリコン技術を用いたガラス基板上のＣＰＵ開発」 小山 潤（半導体エネルギー研究所）
16:15 - 16:45 「ＤＰＳＳ ＣＷ レーザーを利用したガラス上の薄膜トランジスタの形成技術」 原 明人（富士通研究所）
16:45 - 17:15 「短時間加熱結晶化法による多結晶Si薄膜トランジスタ」 鮫島俊之（東京農工大）
17:15 - 17:20 閉会の辞