第51回 研究集会
まず、基調講演では富士通（株）の杉井 寿博氏からITRSロードマップを踏まえ、デバイス技術の現在と展望をお話頂きます。それを受け、接合技術に関する包括的な理解が得られるように、接合形成から測定技術に至るまで先端分野でご活躍中の研究者の方々に技術動向を紹介して頂きます。
| テーマ | 接合技術ワークショップ |
|---|---|
| オーガナイザー | 窪田通孝（ソニー）、水島一郎（東芝）、芝原健太郎（広島大） |
| 共催 | SEMI |
プログラム
Opening Remark
(株)東芝
須黒恭一
13:00 微細MOSの課題と今後の展望
富士通(株)
杉井寿博
13:35 第７回International Workshop on: fabrication, Characterization, and Modeling of Ultra-Shallow Doping Profiles in Semiconductorsの紹介
(株)ユー・ジェー・ティー・ラボ、*次世代半導体研究センター
水野文二、*奥井登志子
14:00 スパイクRTAを用いた65nm node S/Dエクステンション形成技術
(株)東芝
大内和也、安達甘奈、外園明、 豊島義明
14:25 フラッシュランプを用いた短時間アニール技術
(株)半導体先端テクノロジーズ（Selete）、*ウシオ電機(株) 、**大日本スクリーン製造(株)
山下幸司、西村 勇、西森 浩友、井田 徹、有門 経敏、*吉岡 正樹、**楠田 達文
14:50 レーザアニール技術の現状と課題
広島大学
芝原健太郎
15:15 （休憩）
15:35 FD-SOIMOSFETのためのソース・ドレイン構造
東北大学大学院
栗野浩之、小柳光正
16:00 高電流イオン注入装置技術 －現状と今後の課題－
アプライド マテリアルズ ジャパン(株)
伊藤裕之
16:25 Review of Low Energy Doping and Activation Technologies
Varian Semiconductor Equipment Associates. Inc.
A. Renau、D. F. Downey
16:50 極浅領域における深さプロファイル分析の現状と展望
独立行政法人 産業技術総合研究所
一村信吾
Closing Remark
広島大学
芝原健太郎