７月１０日（木）

総合講演
10:00-10:10 開会の辞 堀池靖浩 （物質・材料研究機構）
10:10-10:50 日本半導体産業の復権 大坪英夫 （東京精密）
10:50-11:30 DRAM技術動向とエルピーダのメモリ戦略 犬飼英守 （エルピーダメモリ）

ＥＢ・イマージョン
11:30-12:00 電子線投影露光装置 (ＥＰＬ) 鈴木一明 （ニコン）
12:00-12:30 ＥＰＬのインフラストラクチャ 山部正樹 （Selete）
12:30-13:00 液浸露光技術の可能性 大和壮一 （ニコン）

13:00-14:10 昼　食*

F２ 14:10-14:40 F2リソグラフィ 東川　巌 （Selete）
14:40-15:10 F2露光機開発の現状 白石直正 （ニコン）
15:10-15:40 F2露光装置開発の現状 野川秀樹 （キヤノン）

15:40-16:00 休　憩

ポスターセッション
16:00-18:00

懇親会
18:00-20:00

７月１１日（金）

EUVL・PXL
10:00-10:30 EUVL optics development at the VNL J. Taylor （LLNL）
10:30-11:00 高出力EUV光源開発と課題 遠藤　彰 （EUVA）
11:00-11:30 EUVLマスクおよびレジストプロセスの研究開発状況 西山岩男 （ASET）
11:30-12:00 X線リソグラフィの現状と高解像力化への取り組み 炭谷博昭 （三菱電機）

12:00-13:10 昼　食

光マスク
13:10-13:40 Raster shape beam mask writer - combining the best of raster scan and variable shape F. Abboud （ETEC Systems）
13:40-14:10 光マスク技術の現状と課題 大瀧 雅央 （凸版印刷）
14:10-14:40 Mask RET solutions for 90 nm and beyond F. Chen （Mask Tools）

EBリソグラフィ ２
14:40-15:10 LEEPL技術の現状 守屋　茂 （ソニー）

15:10-15:30 休　憩

15:30-16:00 富士通におけるEB直描技術の紹介 河村栄一 （富士通）

ナノインプリント・新技術
16:00-16:30 Latest developments in step and repeat nanoimprint lithography　UV M. Watts (Molecular Imprints)
16:30-17:00 ナノ電極リソグラフィ 横尾　篤 （NTT）
17:00-17:30 表面構造制御によるナノ構造形成 尾身博雄 （NTT）

17:30 閉　会