第54回 研究集会
開催場所
東京大学生産技術研究所１会議室
（〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1)最寄り駅：井の頭線 駒場東大前駅
小田急線 東北沢駅
小田急線・地下鉄千代田線 代々木上原駅）
http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/
| テーマ | 最先端CMOS技術（VLSIシンポジウム特集） |
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プログラム
10:00 はじめに
10:10 トリプルオキサイドを用いた低電力SoC向け65nmCMOS技術
○深井利憲1)、中原 寧1)、寺井真之1)、小山 晋2)、保国裕美2)、鈴木達也2)、永瀬正俊2)、峰地 輝2)、松田友子2)、田村貴央2)、小場文博2)、小野田中2)、山田泰久2)、小森基史2)、小島義克2)、山夕貴子2)、池田昌弘2)、工藤智彦2)、山本豊二1)、今井清隆2)
1) ＮＥＣ、シリコンシステム研究所
2) ＮＥＣエレクトロニクス、先端プロセス事業部
10:40 縦方向スケーリングとストレス制御による高性能35nm CMOS技術
○後藤賢一、田川幸雄、大田裕之、森岡博、S.ピディン、籾山陽一、*岡部堅一、小倉輝稲垣聡、**添田武志、**菊地吉男、加勢正隆、橋本浩一、児島学、杉井寿博
富士通株式会社
富士通VLSI㈱*
㈱富士通研究所**
11:10 超薄ひずみSOI-CMOSの電気特性と回路性能の温度依存性
○前田辰郎, *水野智久, *杉山直治, *手塚勉, *沼田敏則, *古賀淳二, *高木信一
半導体MIRAIプロジェクト
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター & * ASET
11:40 pMOSFETのNBTI現象におけるゲート絶縁膜中のトラップ生成
○辻川 真平、渡邉 喜久雄*、土屋 龍太*、大西 和博、由上 二郎
ルネサステクノロジ、*日立
12:10 昼 食
13:20 65nmノード世代に向けたHfSiONゲート絶縁膜のCMOSFET設計
○渡辺健、高柳万里子、飯島良介*、石丸一成、石内秀美、綱島祥隆
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター
*（株）東芝 研究開発センター
13:50 リモートクーロン散乱を抑制した高移動度HfSiO膜MISFET
○森岡あゆ香，渡辺啓仁，宮村信，辰己徹，西藤哲史，小倉卓，岩本敏幸，五十嵐多恵子，斎藤幸重，岡田裕子，渡部平治，望月康則，最上徹
NECシリコンシステム研究所
14:20 65nm世代(CMOS5)におけるSoC向け高性能・高集積混載SRAM技術）
○神田昌彦、森藤英治、西郡正人、藤本幸宏、植松政也*、高橋一美、津野仁志、岡野王俊、松田聡、親松尚人、高橋洋*、長島直樹*、山田誠司、野口達夫、岡本裕*、各務正一
(株)東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
*(株)ソニーセミコンダクタネットワークカンパニー テクノロジー開発本部
14:50 休憩
15:10 SOI上のDRAM混載に向けたFBC(Floating Body Cell)技術
○井納和美、篠智彰、山田浩玲、中島博臣、南良博、山田敬、大澤隆、*東知輝、藤田勝之、池橋民雄、梶山健、福住嘉晃、浜本毅司、石内秀美
(株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター
*東芝マイクロエレクトロニクス（株）
15:40 電荷保持層にHigh-k膜を用いた多ビットSONOS型フラッシュメモリー
○杉崎太郎、小林昌宏、南方浩志、山口正臣、田村泰之、杉山芳弘、中西俊郎、田中均
富士通研究所
16:10 1.1V動作の0.18μm混載FeRAM
○伊東豊二、長野能久、三河巧、久都内知恵、林慎一郎、那須徹、夏目進也、立成利貴、後藤覚、矢野尚、野間淳史、永橋克己、三木隆、坂上雅彦、井筒康文、中熊哲治、平野博茂、岩成俊一、村久木康夫、山岡邦吏、五寳靖、十代勇次、藤井英治、佐藤和夫
松下電器産業株式会社 半導体社
16:40 総合討論