10:00 はじめに

10:10 トリプルオキサイドを用いた低電力SoC向け65nmCMOS技術
○深井利憲¹⁾、中原　寧¹⁾、寺井真之¹⁾、小山　晋²⁾、保国裕美²⁾、鈴木達也²⁾、永瀬正俊²⁾、峰地　輝²⁾、松田友子²⁾、田村貴央²⁾、小場文博²⁾、小野田中²⁾、山田泰久²⁾、小森基史²⁾、小島義克²⁾、山夕貴子²⁾、池田昌弘²⁾、工藤智彦²⁾、山本豊二¹⁾、今井清隆²⁾
1) ＮＥＣ、シリコンシステム研究所
2) ＮＥＣエレクトロニクス、先端プロセス事業部

10:40 縦方向スケーリングとストレス制御による高性能35nm CMOS技術
○後藤賢一、田川幸雄、大田裕之、森岡博、S.ピディン、籾山陽一、*岡部堅一、小倉輝稲垣聡、**添田武志、**菊地吉男、加勢正隆、橋本浩一、児島学、杉井寿博
富士通株式会社
富士通VLSI㈱*
㈱富士通研究所**

11:10 超薄ひずみSOI-CMOSの電気特性と回路性能の温度依存性
○前田辰郎, *水野智久, *杉山直治, *手塚勉, *沼田敏則, *古賀淳二, *高木信一
半導体MIRAIプロジェクト
産業技術総合研究所　次世代半導体研究センター & * ASET

11:40　　pMOSFETのNBTI現象におけるゲート絶縁膜中のトラップ生成
○辻川 真平、渡邉 喜久雄*、土屋 龍太*、大西 和博、由上 二郎
ルネサステクノロジ、*日立

12:10 昼　食

13:20 65nmノード世代に向けたHfSiONゲート絶縁膜のCMOSFET設計
○渡辺健、高柳万里子、飯島良介*、石丸一成、石内秀美、綱島祥隆
（株）東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター
*（株）東芝　研究開発センター

13:50 リモートクーロン散乱を抑制した高移動度HfSiO膜MISFET
○森岡あゆ香，渡辺啓仁，宮村信，辰己徹，西藤哲史，小倉卓，岩本敏幸，五十嵐多恵子，斎藤幸重，岡田裕子，渡部平治，望月康則，最上徹
NECシリコンシステム研究所

14:20 65nm世代(CMOS5)におけるSoC向け高性能・高集積混載SRAM技術）
○神田昌彦、森藤英治、西郡正人、藤本幸宏、植松政也*、高橋一美、津野仁志、岡野王俊、松田聡、親松尚人、高橋洋*、長島直樹*、山田誠司、野口達夫、岡本裕*、各務正一
(株)東芝セミコンダクター社 システムLSI事業部
*(株)ソニーセミコンダクタネットワークカンパニー テクノロジー開発本部

14:50 休憩

15:10 SOI上のDRAM混載に向けたFBC(Floating Body Cell)技術
○井納和美、篠智彰、山田浩玲、中島博臣、南良博、山田敬、大澤隆、*東知輝、藤田勝之、池橋民雄、梶山健、福住嘉晃、浜本毅司、石内秀美
(株)東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター
*東芝マイクロエレクトロニクス（株）

15:40 電荷保持層にHigh-k膜を用いた多ビットSONOS型フラッシュメモリー
○杉崎太郎、小林昌宏、南方浩志、山口正臣、田村泰之、杉山芳弘、中西俊郎、田中均
富士通研究所

16:10 1.1V動作の0.18μm混載FeRAM
○伊東豊二、長野能久、三河巧、久都内知恵、林慎一郎、那須徹、夏目進也、立成利貴、後藤覚、矢野尚、野間淳史、永橋克己、三木隆、坂上雅彦、井筒康文、中熊哲治、平野博茂、岩成俊一、村久木康夫、山岡邦吏、五寳靖、十代勇次、藤井英治、佐藤和夫
松下電器産業株式会社　半導体社

16:40 総合討論