2003年11月21日(金) 9:30-16:45

第56回 研究集会

先端MOSデバイス技術とその課題と展望、および、先端デバイスに関するモデリング技術とシミュレーションを用いた設計・解析

開催場所

タイム24ビル 1階  交流サロン

ゆりかもめ テレコムセンター駅前 http://www.time24.co.jp/
テーマ 先端デバイス実現に向けたモデリング技術
オーガナイザー 小田中紳二,松沢一也,羽根正巳

プログラム

1.9:30-9:35
モデリング委員会から
小田中紳二(阪大)

(以下招待講演)
午前 座長  岡秀樹(富士通)

2. 9:35-10:10
CMOS微細化の現状と課題
○石丸一成((株)東芝 セミコンダクター社、SoC研究開発センター)

3. 10:10-10:45
SOI MOSFETの物理モデルと性能課題について
○大村泰久(関西大学)

4. 10:45-11:20
完全空乏型SOI及びひずみSOI CMOSにおけるしきい値制御と短チャネル効果抑制手法
○沼田敏典,水野智久,手塚勉,古賀淳二(MIRAI-ASET、東芝),松沢一也(東芝),高木信一(MIRAI-ASET,東芝(現 MIRAI-AIST、東大))

昼食 11:20-12:45

午前(1) 座長 佐野伸行(筑波大)

5. 12:45-13:20
SiGe チャネルを用いたヘテロ構造 CMOS
○高木 剛、空田晴之、井上彰、川島良男、岩永順子、川島孝啓、片山幸治、原義博、浅井明
(松下電器産業株式会社 先行デバイス開発センター)

6. 13:20-13:55
ひずみSi-pMOSFETのサブバンド構造計算と反転層移動度のシミュレーション
○鎌倉良成、中辻広志、内田雅也、谷口研二(大阪大学大学院工学研究科)

休憩 13:55-14:10

午後(2) 座長 石川清志(ルネサステクノロジ)

7.14:10-14:45
High-k CMOSの現状と今後の展望
○北島洋(半導体先端テクノロジーズ)

8.14:45-15:20
モンテカルロシミュレータによる高誘電体でのゲート電流解析
○大倉康幸 鈴木爾 (半導体先端テクノロジーズ第二研究部)

休憩 15:20-15:35

午後(3) 座長 福田浩一(沖電気)

9. 15:35-16:10
3次元プロセス・デバイスシミュレータを用いたFinFETの設計
○近藤正樹、勝又竜太、青地英明、浜本毅司、伊藤早苗、青木伸俊、和田哲典
(東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター)

10. 16:10-16:45
離散的不純物分布とLERに起因する微細MOSFET真性ばらつきの3次元原子レベルプロセスデバイスシミュレーション
○羽根正巳、江崎達也(NECシリコンシステム研究所),池澤健夫(NEC情報システムズ(株))

このページの上部へ