第6回 研究集会
大口径ウエハ上に作製されるサブ0.1μmデバイスを高い歩留まりで得るためにキーとなるウエット洗浄技術を取り上げる。デバイスの高集積化の進展に伴い、問題となるパーティクルのサイズや不純物の量は益々減少してきている。また、高アスペクト比のコンタクトホールなどの微細構造をもつ表面の洗浄、Cu配線後処理としての洗浄、あるいはCMP等の新プロセス技術の登場に伴い、従来の洗浄技術にはどの様な問題点があり、どの様にしてそれらを克服していくか明確ではない。
以上のような背景から今回の研究集会では不純物の付着、除去機構を踏まえた上で高性能化、コスト削減および環境問題を意識した洗浄溶液、洗浄方法の議論を行う。また微細構造表面の洗浄、 CMPプロセス後の洗浄などは、それらの問題点を明らかにしつつ解決方法を議論する。さらに洗浄処理を高感度で評価する手法、あるいは洗浄処理モニタリングを意識したその場観察技術についても議論する。
| テーマ | ウェット洗浄技術 |
|---|---|
| オーガナイザー | 堀池靖浩（東京大学） |
プログラム
９：５５～１０：００
開会の辞
筑波大学物質工学系
山部紀久夫
１０：００～１１：００
LSI配線技術の動向とめっきCu配線
日本電気野和良
１１：００～１１：３０
微細ホール内洗浄の問題点と解決指針
日本電気
青砥なほみ、山崎進也、青木秀充
１１：３０～１２：００
CMP後洗浄技術の現状と課題
東芝
小寺雅子、松井嘉孝、間瀬康一、宮下直人、平林英明、桜井直明
１３：００～１３：３０
電気化学的アプローチによる金属、パーティクル付着除去機構の解明
新日本製鐵、*九州大学
上村賢一、*島ノ江憲剛
１３：３０～１４：００
アンモニア-過酸化水素薬液(APM)の洗浄性の制御
日本電気
山本賢一、中村彰信、長谷潮
１４：００～１４：３０
有機酸溶液中の金属・パーティクル付着挙動
三菱マテリアル
高石和成、高田涼子、原田剛、島貫康
１４：３０～１５：００
オゾン水と希フッ酸を繰り返し用いた環境にやさしい枚葉スピン洗浄
ソニー
逢坂勉、嵯峨幸一郎、岡本彰、国安仁、服部毅
１５：１５～１５：４５
原子核乾板を用いた二次元マッピングによるFe吸着現象の解析
東芝
冨田寛、斎藤真美、灘原壮一
１５：４５～１６：１５
異なる平坦性を有するSiのフォトレフレクタンス評価
大阪大学基礎工学研究科、*松下電器産業(株)、**和歌山工業高等専門学校
阿形眞司、和田秀夫、*江利口浩二、**藤本晶、金島岳、奥山雅則
１６：１５～１７：３０
パネル討論
懇親会：(１７：３０～１９：３０) 山上会館談話ホール