6月21日（月）
電気学会誘電体薄膜応用（調）委員会　「誘電体膜の信頼性」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」

13：00-13：20
非対称駆動法による非破壊読み出しＦｅＲＡＭのインプリント耐性改善
○香山　信三,　加藤　剛久,　山田　隆善,　嶋田　恭博
松下電器産業　半導体社　半導体デバイス研究センター

13：20-13：40
低コストと高性能を両立させた65nm世代対応多層配線技術（仮題）
○ 植木 誠、成廣 充、大竹 浩人、田上 政由、多田 宗弘、伊藤 文則、原田 恵充、阿部 真理、 井上 尚也、新井 浩一、竹内 常雄、斉藤 忍、小野寺 貴弘、古武 直也、*廣井 政幸、*関根 誠、 林 喜宏
ＮＥＣ システムデバイス研究所 シリコンデバイスＴＧ *ＮＥＣエレクトロニクス

13：40-14：00
65nmCMOS配線プラットフォーム技術（仮題：交渉中）
○本多　健二、他
(株)東芝 セミコンダクター社

14：00-14：20
TEMトモグラフ法によるLow-k膜空孔の３次元構造の評価、および空孔構造のプロセスへ与える影響
○島田美代子、*島貫純一、大塚信幸、古谷晃、*井上靖秀、**小川真一
（株）半導体先端テクノロジーズ（Selete）、*（株）日産アーク、**現：松下電器産業（株）

14：20-14：40
SiO2/Si界面下に誘起された格子歪み ― 位相敏感Ｘ線回折法による
○矢代航、三木一司、*隅谷和嗣、*高橋敏男、**依田芳卓、***高橋健介、***服部健雄
物材研ナノマテ 産総研ナノテク、*東大物性研、**SPring-8、***武蔵工大工

14：40-15：00
ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析
○近藤博基、*河合圭悟、宮崎香代子、酒井朗、財満鎭明、*安田幸夫
名古屋大学大学院工学研究科、*(現)NECエレクトロニクス株式会社、**(現)高知工科大学総合研究所

15：00-15：20 休憩（20分）

15：20-15：40
成膜温度上昇によるMOCVD HfO2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下
○*藤井眞治、宮田典幸、右田真司、堀川剛、**鳥海明
半導体MIRAI-ASET、**半導体MIRAI-ASET/東大工、*(現)松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター

15：40-16：00
HfO2/SiNx/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価
○中川 博、大田 晃生、竹野 文人、長町 学、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科

16：00-16：20
放射光光電子分光による高誘電率膜HfO2, ZrO2/Si界面反応の評価
○豊田智史、岡林潤、組頭広志、尾嶋正治、*臼田宏治、*丹羽正昭、*劉国林
東京大学大学院工学系研究科、*STARC

16：20-16：40
HfAlOx/SiOx/Si(100)スタック構造の光電子分光分析
○大田 晃生、中川 博 、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、*川原 孝昭、*鳥居 和功（株）
広島大学大学院先端物質科学研究科、*半導体先端テクノロジーズ

16：40-17：00
窒素励起活性種をもちいたPLD-HfSixOy膜への窒素導入
○中村秀碁、プラカイペッチ パンチャイペッチ、矢野裕司、畑山智亮、浦岡行治、冬木隆、*堀井貞義
奈良先端科学技術大学院大学、*日立国際電気

17：00-17：20
気液ハイブリッド（VALID）法によるハフニウムシリケート膜の成長とその電気特性 ○玄 一、北條 大介、安田 哲二
MIRAI、次世代半導体研究センター、産業技術総合研究所

17：30-19：30 懇親会

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6月22日（火）
シリコンテクノロジー分科会　表面・界面・シリコン材料研究委員会　研究集会
「ゲート絶縁膜の現状と課題～信頼性を中心に～」

9:30-10:00
Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関
○植松真司、影島博之、高橋庸夫＃、*深津茂人、*伊藤公平、**白石賢二
NTT物性科学基礎研究所、*慶応大理工、**筑波大物理、（＃現：北大）

10:00-10:25
ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価
○河瀬和雅、*梅田浩司、*井上真雄、*辻川真平、*赤松泰彦、**寺本章伸、**大見忠弘
三菱電機　先端総研、*ルネサステクノロジ、**東北大未来科学技術共同研究センター

10:25-10:50
Si/SiO2界面の窒素によるトラップレベルの発生
〇山崎隆浩、金田千穂子
富士通研究所

10:50-11:15
NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ
○辻川 真平、赤松 泰彦、梅田 浩司、由上 二郎
ルネサステクノロジ

11:15-11:45
不バイアス温度不安定性（NBTI) とその回復現象(仮題)
○三谷　祐一郎、佐竹　秀喜＃
東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー、（＃現：半導体MIRAIプロジェクト）

11:45-13:00　昼休み(75分)

13:00-13:30
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価
○世古明義、*渡辺行彦、近藤博基、酒井朗、財満鎭明、安田幸夫＃
名古屋大院工、*豊田中央研究所、(＃現：高知工科大学総合研究所)

13:30-13:55
酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響
○細井 宏昭、鎌倉 良成、谷口 研二
阪大院工

13:55-14:20
ESRによるHfO2薄膜の欠陥評価
○金島岳、池田幸司、多田泰三、寒川雅之、奥山雅則
大阪大院基礎工

14:20-14:45
XPS時間依存測定法によるHfAlOx膜中の電荷捕獲現象の評価
○*,**廣瀬和之、**山脇師之、***鳥居和巧、***川原孝昭、****川尻智司、****服部健雄
*JAXA宇宙研、**総研大、***SELETE、****武蔵工大

14:45-15:05 休憩（20分）

15:05-15:30
C-AFMによるHfO2/SiO2スタック構造におけるリークスポットの直接観察
○弓野　健太郎、喜多　浩之、鳥海　明
東京大工マテリアル工学科

15:30-16:00
HfAlOx/SiO2 ゲート絶縁膜の過渡電流特性（仮題）
○樋口恵一、後藤正和、*鳥居和功、上殿明良、山部紀久夫
筑波大物理工、*Selete

16:00-16:25
polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊
○鳥居　和功、大路　洋、武藤　彰良、川原　孝昭、三橋　理一郎、堀内　淳、*宮崎　誠一、 北島　洋
半導体先端テクノロジーズ、*広島大学

16:25-16:50
HfSiO(N)における欠陥生成と破壊機構
○平野　泉、山口　豪、三谷　祐一郎、*関根　克行、*高柳　万里子、*江口　和弘、*綱島　祥隆、佐竹　秀喜
東芝研究開発センター、*東芝セミコンダクター社