2005年2月4日(金) 9:30-16:50

第68回 研究集会

開催場所

学習院大学南 2 号館 200 番教室

(豊島区目白) http://www.gakushuin.ac.jp/mejiro.html
テーマ シリコンエピ,アニールウェーハの限界とそれを打破する欠陥制御,評価技術開発の挑戦
参加費 分科会会員 2,000 円,分科会非会員 4,000 円(当日会場にてお受けいたします)
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
お問い合わせ先 学習院大学 渡辺匡人
Tel)03-3986-0221(内 6459)
Fax)03-5992-1029
Email) masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp

岡山県立大学 末岡浩治
Tel)0866-94-2136
Fax)0866-94-2199
Email) sueoka@cse.oka-pu.ac.jp

富士通研究所 棚橋克人
Tel)046-250-8276
Fax)046-248-3473
Email) tanahash@labs.fujitsu.com

プログラム

「開会の挨拶」 棚橋 克人 9:30-9:45

1. これからのウェーハはどうなる?~次世代ウェーハへの提言~ 9:45―10:15
松川 和人(ルネサステクノロジー)

2. フラッシュプロセスにおけるウェーハ中の欠陥挙動 10:15-10:45
平野 頼(Spansion Japan)

3. 低温プロセスに適した重金属ゲッタリング技術 10:45-11:15
石坂 和紀(シルトロニック・ジャパン)

「休憩」 11:15―11:30

4. 窒素添加 CZ シリコン結晶中の as grown 酸素析出物の核発生挙動 11:30-12:00
前田 進(コマツ電子金属)

5. 光散乱トモグラフィーによる今後の Si 評価技術 12:00-12:30
守矢 一男(三井金属鉱業)

「昼食」 12:30―13:30

6. 収束電子線回折法によるシリコン結晶中の局所歪み解析~酸素析出物周囲の格子歪み~ 13:30-14:00
米村 光治(住友金属工業 総合技術研究所)

7. ウェーハ・トポグラフィーとプロセスへのインパクト 14:00-14:30
福田 哲生(富士通,電子情報技術産業協会(JEITA))

8. 赤外吸収法による CZ シリコン中の窒素の濃度測定と熱処理挙動の研究 14:30-15:00
井上 直久(大阪府立大学)

「休憩」 15:00―15:15

9. アニールウェーハの規格化に対する微小欠陥評価法の標準化 15:15―15:45
竹田 隆二(東芝セラミックス,電子情報技術産業協会(JEITA) 微小欠陥検出 WG)

10. 半導体中の不純物拡散の第一原理計算 15:45―16:15
白井 光雲(大阪大学)

11. 異種材料界面の機械的性質・電子的性質の第一原理計算」 16:15―16:45
田中 真悟(産業技術総合研究所 関西センター)

「閉会の挨拶」 末岡 浩治 16:45―16:50

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