第68回 研究集会
| テーマ | シリコンエピ，アニールウェーハの限界とそれを打破する欠陥制御，評価技術開発の挑戦 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員 2,000 円，分科会非会員 4,000 円（当日会場にてお受けいたします） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| お問い合わせ先 | 学習院大学 渡辺匡人 Tel)03-3986-0221(内 6459) Fax)03-5992-1029 Email) masahito.watanabe@gakushuin.ac.jp 岡山県立大学 末岡浩治 Tel)0866-94-2136 Fax)0866-94-2199 Email) sueoka@cse.oka-pu.ac.jp 富士通研究所 棚橋克人 Tel)046-250-8276 Fax)046-248-3473 Email) tanahash@labs.fujitsu.com |
プログラム
「開会の挨拶」 棚橋 克人 ９：３０－９：４５
1. これからのウェーハはどうなる？～次世代ウェーハへの提言～ ９：４５―１０：１５
松川 和人（ルネサステクノロジー）
2. フラッシュプロセスにおけるウェーハ中の欠陥挙動 １０：１５－１０：４５
平野 頼（Spansion Japan）
3. 低温プロセスに適した重金属ゲッタリング技術 １０：４５－１１：１５
石坂 和紀（シルトロニック・ジャパン）
「休憩」 １１：１５―１１：３０
4. 窒素添加 CZ シリコン結晶中の as grown 酸素析出物の核発生挙動 １１：３０－１２：００
前田 進（コマツ電子金属）
5. 光散乱トモグラフィーによる今後の Si 評価技術 １２：００－１２：３０
守矢 一男（三井金属鉱業）
「昼食」 １２：３０―１３：３０
6. 収束電子線回折法によるシリコン結晶中の局所歪み解析～酸素析出物周囲の格子歪み～ １３：３０－１４：００
米村 光治（住友金属工業 総合技術研究所）
7. ウェーハ・トポグラフィーとプロセスへのインパクト １４：００－１４：３０
福田 哲生（富士通，電子情報技術産業協会(JEITA)）
8. 赤外吸収法による CZ シリコン中の窒素の濃度測定と熱処理挙動の研究 １４：３０－１５：００
井上 直久（大阪府立大学）
「休憩」 １５：００―１５：１５
9. アニールウェーハの規格化に対する微小欠陥評価法の標準化 １５：１５―１５：４５
竹田 隆二（東芝セラミックス，電子情報技術産業協会(JEITA) 微小欠陥検出 WG）
10. 半導体中の不純物拡散の第一原理計算 １５：４５―１６：１５
白井 光雲（大阪大学）
11. 異種材料界面の機械的性質・電子的性質の第一原理計算」 １６：１５―１６：４５
田中 真悟（産業技術総合研究所 関西センター）
「閉会の挨拶」 末岡 浩治 １６：４５―１６：５０