第7回 研究集会
MOSFETの微細化限界を打破することが期待されているシリコンフロンティアデバイスを取りあげる。 SIAのロードマップに見られるとおり、MOSFETの微細化は15年先まで数字の上では外挿線が引かれているが、その実現は現状では極めて困難が予想される。単なるトレンドの延長ではない、新しい技術または概念に基づく新デバイスの出現が強く求められている。本研究会では､新構造や新材料等を用いたフロンティアMOSデバイスについて議論し、デバイス微細化の最前線をレビューするとともに、全く新しい物理現象を利用した単電子デバイス等についても討論し、微細化限界打破の方策を探る．
開催場所
東京大学生産技術研究所第１、２会議室
（懇親会は第３部輪講室）（地下鉄千代田線乃木坂駅徒歩３分、日比谷線六本木駅徒歩７分） https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/map7.htm
| テーマ | シリコンフロンティアデバイス |
|---|---|
| オーガナイザー | 平本 俊郎（東京大学） |
プログラム
１０：００～１０：１０
開会の挨拶
東京大学
平本俊郎
「フロンティアMOSデバイス」
１０：１０～１０：４０
擬似SOI：P-N-Pチャネル分布を持つ低電圧動作用バルク基板MOSFET
(株)日立製作所
宮本正文、永井亮、長野隆洋
１０：４０～１１：１０
バルク基板を用いたDTMOS技術
シャープ(株)
小瀧浩、中野雅行、柴田晃秀、足立浩一郎、柿本誠三
１１：１０～１１：４０
バンドギャップエンジニアリングによるサブ0.1umMOSFETの短チャネル効果抑制
(株)東芝
西山彰、松澤一也、高木信一
１１：４０～１２：１０
ショットキー・ソース/ドレインSOI-MOSFET
九州工業大学
浅野種正、落合保博、西坂美香
「新概念シリコンデバイス」
１３：１０～１３：４０
マルチゲート単電子トランジスタ
NTT
高橋庸夫、藤原聡、山崎謙治、生津英夫、栗原健二、村瀬克実
１３：４０～１４：１０
単電子デバイスにおける量子効果の影響
東京大学
石黒仁揮、平本俊郎
１４：１０～１４：４０
室温動作シリコンバンド間トンネル素子
松下電器産業(株)
空田晴之、森本廉、幸康一郎、吉井重雄、森田清之、上野山雄、大仲清司
１４：４０～１５：１０
強誘電体ゲートトランジスタの特性評価とニューロン回路の試作
東京工業大学
徳光永輔，尹聖民，石原宏
「フロンティア微細デバイス」
１５：４０～１６：１０
自己整合プロセスを用いた横型SOIバイポーラ素子
(株)東芝
篠智彰、井納和美、山田敬、新居英明、川中繁、布施常明、吉見信、勝又康弘、渡辺重佳、松永準一
１６：１０～１６：４０
1.2nm極薄ゲート酸化膜MOSFETにおける直接トンネル電流に起因したしきい値電
圧揺らぎ
1)広島大学、2)科技団CREST
1)2)黄明植、1)岩本邦彦、1)水林亘、1)村上秀樹、1)芝原健太郎、1)宮崎誠一、1)廣瀬全孝
１６：４０～１７：１０
新ダブルゲートSOI-MOSFET －Folded Channel Transistor－
1)Hitachi Ltd.、2)UC Berkeley、3)Lawrence Berkeley Lab.、4)Nippon Steel Corp.、5)KK Corp.
1)D.Hisamoto、2)>W-C.Lee、2)J.Kedzierski、3)E.Anderson、4)H.Takeuchi、5)K.Asano、2)T-J.King、2)J.Bokor、2)C.Hu
懇親会：(１７：３０～１９：３０) 第３部輪講室