１２：３０ー１３：１０
ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算
○*濱田 智之、*籾田 浩義、**山本 武範、*,*宇田 毅、*,***大野 隆央
*東京大学生産技術研究所、**アドバンスソフト（株）、***（独)物質・材料研究機構

１３：１０ー１３：４０
高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED(Quantum Electrodynamics) 理論に基づく
第一原理計算
○立花 明知
京都大学大学院工学研究科

１３：４０ー１３：５０　休憩（１０分）

１３：５０ー１４：１５
HfO2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較
鄭 仰東、○土屋 良重、佐藤 大典、*水田 博、小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、*東京工業大学大学院理工学研究科

１４：１５ー１４：４０
XPS/AESによるHfSiOx薄膜の誘電率の推定
*鈴木 伸子、*山脇 師之、**鳥居 和功、**川原 孝昭、*,***○廣瀬 和之
*総合研究大学院大学、**半導体先端テクロジーズ、***宇宙研

１４：４０ー１５：０５
絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル
○田中 洋毅、小池 三夫、富田 充裕、上牟田 雄一、井野 恒洋、小池 正浩、小山 正人、竹野 史郎 東芝 研究開発センター

１５：０５ー１５：３０
TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価
○五十嵐 信行、間部 謙三、高橋 健介
ＮＥＣシステムデバイス研究所

１５：３０ー１５：４０ 休憩（１０分）

１５：４０ー１６：１０
光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価
○尾嶋 正治、豊田 智史、高橋 晴彦、岡林 潤、組頭 広志、*劉 国林、*劉 紫園、*池田 和人、*臼田 宏治
東京大学大学院工学系研究科、　*STARC

１６：１０ー１６：３５
（仮）走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価
○*宮田 典幸、*太田 裕之、*,**市川 昌和
*産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター、**東京大学大学院工学系研究科

１６：３５ー１７：００
極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布
○野平 博司、品川 盛治、生田 哲也、堀 充明、加勢 正隆、岡本 英介、吉田 徹史、服部 健雄 武蔵工業大学工学部

１７：００ー１７：１０　休憩（１０分）

１７：１０ー１７：３５
HfO2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定性（仮題）
○金田 千穂子、山崎 隆浩、小坂 裕子
富士通研究所

１７：３５ー１８：００
コンビナトリアル手法によるHfO2系酸化膜の電気特性評価
○知京 豊裕、*長谷川 顕、**田森 妙、Parhat Ahmet、Dmitry Kukurznyak、中島 清美、***山田 啓作、鯉沼 秀臣
物質材料研究機構 ナノマテリアル研究所、*東京工業大学（現・富士フイルム）、 **東京工業大学（現・富士電気）、***早稲田大学

１８：００ー１８：３０
堆積金属酸化法によるHfO2/Si構造の作成とその高分解能RBS評価
○上野 智雄、長里 喜隆、小林 晃子、入野 真
東京農工大学工学部

懇親会　１８：３０ー

平成１７年６月１０日（金）
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
テーマ：「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」

９：００ー９：２０
UV-O3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析
○大田 晃生、古川 寛章、中川 博、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一
広島大学　大学院先端物質科学研究科

９：２０ー９：４０
NHラジカル用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度
○ 樋口 正顕、小村 政則、＊寺本 章伸、＊＊品川 盛治、+池永 英司、+小林 啓介、＊＊野平 博司、須川 成利、++服部 健雄、＊大見 忠弘
東北大学 大学院工学研究科、＊東北大学 未来科学技術共同研究センター、＊武蔵工業大学 大学院工学研究科、+高輝度光科学研究センター(JASRI)/SPring8、++東北大学 未来科学技術共同研究センター／武蔵工業大学 大学院工学研究科

９：４０ー１０：００
パルス時間変調窒素プラズマによるゲート絶縁膜の形成と紫外光照射損傷の抑制
○福田 誠一、＊田口 智啓、＊加藤 裕司、＊石川 寧、＊野田 周一、＊寒川 誠二
ソニー（株）セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー、＊東北大学　流体科学研究所

１０：００ー１０：２０
Interface trap generation induced by charge pumping current under dynamic oxide field stresses
○Zhu Shiyang、中島安理、＊大橋拓夫、＊三宅秀治
広島大学　ナノデバイス･システム研究センター、＊エルピーダメモリ㈱

１０：２０ー１０：４０ 休憩（２０分）

１０：４０ー１１：００
15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性
○三原 理、鎌倉 良成、谷口 研二
大阪大学　大学院工学研究科

１１：００ー１１：２０
Nb2O5添加及び積層による高誘電率Ta2O5膜の低温結晶化
○松井 裕一、＊平谷 正彦、＊＊浅野 勇
日立製作所 中央研究所、＊日立製作所 研究開発本部、＊＊エルピーダメモリ㈱

１１：２０ー１１：４０
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa2O3-Al2O3複合膜の局所リーク電流評価
○世古 明義、佐合 寿文、＊藤塚 良太、坂下 満男、酒井 朗、＊＊小川 正毅、財満 鎭明
名古屋大学　大学院工学研究科、＊(現)東芝セミコンダクター社、＊＊名古屋大学　先端技術共同研究センター

１１：４０ー１２：００
窒素添加Y2O3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価
○安部 浩透、中川 博、多比良 昌弘、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一
広島大学　大学院先端物質科学研究科

１２：００ー１３：００　昼休み（６０分）

１３：００ー１３：２０
制限反応スパッタ法によるZrO2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間
○小原 一顕、杉山 英孝、佐々木 公洋
金沢大学　大学院自然科学研究科

１３：２０ー１３：４０
HTBを用いた光アシストMOCVDによるHfO2薄膜の作製と評価
○金島 岳、多田 泰三、津森 正樹、奥山 雅則
大阪大学 基礎工学研究科

１３：４０ー１４：００
低温NH3処理によるHfO2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価
○中川 博、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一
広島大学 大学院先端物質科学研究科

１４：００ー１４：２０
高圧水蒸気処理によるHfSiO膜の改善
○プラカイペッチパンチャイペッチ、矢野 裕司、畑山 智亮、浦岡 行治、冬木 隆、＊鮫島 俊之、＊＊堀井 貞義
奈良先端科学技術大学院大学、＊東京農工大学、＊＊日立国際

１４：２０ー１４：４０
HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析
○長友 浩二、高柳 万里子、渡辺 健、＊飯島 良介、石丸 一成、石内 秀美
（株）東芝　セミコンダクター社、＊（株）東芝　研究開発センター

１４：４０ー１５：００　休憩（２０分）

１５：００ー１５：２０
Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究：ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム
○白石 賢二、＊鳥居 和功、＊＊宮崎 誠一、山部 紀久夫、＋知京 豊裕、＋＋山田 啓作、¹北島 洋、²有門 経敏、³奈良 安雄
筑波大学、＊Selete（現：日立）、＊＊広島大学、＋物材機構、＋＋早稲田大学、1 Selete (現：NECエレクトロニクス)、2 Selete (現：東京エレクトロン)、3 Selete

１５：２０ー１５：４０
HfSiONの熱活性型破壊モデル（仮題）
○山口 豪、平野 泉 、飯島 良介、＊関根 克行、＊高柳 万里子、＊江口 和弘、 三谷 祐一郎、福島 伸
(株)東芝 研究開発センター、＊(株)東芝 セミコンダクター社

１６：００ー１６：２０
Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源
○安田 直樹、＊生田目 俊秀、＊佐竹 秀喜、＊＊鳥海 明
MIRAI-ASET (現: (株)東芝)、＊MIRAI-ASET、＊＊MIRAI-産総研／東京大学

１６：２０ー１６：４０
Pd2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調
○法澤 公成、佐野 孝輔、細井 卓治、芝原 健太郎
広島大学　ナノデバイス・システム研究センター