第71回 研究集会
65nmから45nmに向けたシリコンULSI微細加工プロセスの最もホットな課題はlow-kエッチングテクノロジーである。本研究会ではそのlow-kエッチングプロセス、特に量産準備に入りつつある65 nmノードと、開発の本格化しつつある45 nmノード近辺に焦点を絞り、エッチングプロセスの課題とその現状、解決策への展望を、第一線の企業を中心に骨太の議論を行う。その観点から実用的なプロセスに的を絞り、同分野をリードしている企業あるいはコンソーシアムに関わっている企業の最前線の研究者にできる限り先端の成果を講演していただく。
開催場所
東京大学浅野キャンパスVDEC（武田先端知ビル）５階武田ホール
（千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車） http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/Guide/access.html| テーマ | 「65 nmから45 nmノードlow-kエッチングの最前線」―low-kエッチングプロセスにおける課題とそのソリューション― |
|---|---|
| 担当 | ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 |
プログラム
Overview：
13:00-13:05 最新のlow-kエッチングプロセスの課題
辰巳 哲也（ソニー）
Low-kエッチングプロセス：
13:05-13:30 カーボンハードマスクLow-kエッチング
林 久貴（東芝）
13:30-13:55 low-k膜エッチングにおけるイオン・ラジカルのウエハ入射分布制御
横川 賢悦（日立製作所）
13:55-14:20 多層マスクデュアルダマシンプロセス
大竹 浩人（NEC）
プラズマによる表面の改質・ダメージと回復：
14:20-14:45 低ダメージダマシンプロセス
米倉 和賢（ルネサステクノロジ）
14:45-15:10 u-lowkダメージ低減に対するドライプロセスからのアプローチ
久保田 和宏 （東京エレクトロンAT）
15:10-15:30 休憩
15:30-15:55 高温H2/Heアッシング技術
曽田 栄一（Selete）
15:55-16:20 Oラジカル制御アッシングとCH系プラズマダメージ回復技術
齊藤 貴弘 （ソニー）
16:20-16:45 Low-k材料プラズマダメージのTMCTS処理回復プロセス
小野 哲郎（半導体MIRAIプロジェクト）
インテグレーション：
16:45-17:10 IITC2005トピックと45nm以降に向けての課題と展望
筑根 敦弘 (富士通)
総合討論・総括：
17:10-17:40 モデュレーター
堀 勝（名古屋大学）
木下 啓蔵（半導体MIRAIプロジェクト）
17:40 閉会の辞
17:50- 懇親会 (参加費 2000円)