第72回 研究集会
開催場所
日本科学未来館
○電車・ 新交通ゆりかもめ (新橋駅~有明駅)
「船の科学館駅」下車、徒歩約 5分
「テレコムセンター駅」下車、徒歩約4分
・ 東京臨海高速鉄道りんかい線 (新木場駅~大崎駅)
「東京テレポート駅」下車、徒歩15分
○車
・横浜・川崎・大井・品川方面
首都高速湾岸線 東京港トンネル通過後、13号地ランプより1.2Km
・箱崎(都心)・小菅・千葉方面
首都高速湾岸線 有明ランプより直進3km
・竹芝・芝浦方面
首都高速11号線 台場ランプより約2km
臨港道路(レインボーブリッジ下層)を通り、台場出口より約1.8km http://www.miraikan.jst.go.jp/
テーマ | NGLワークショップ2005 特集 |
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担当 | リソグラフィー研究委員会 |
共催 | 日本学術振興会「荷電粒子ビームの工業への応用」第132委員会 |
プログラム
7月7日(木)
10:00-10:10 開会の辞
堀池靖浩 (物材機構)
基調講演
10:10-10:45 半導体共同R&D体制の見直し構想
前口賢二 (SIRIJ)
10:45-11:20 DFM (Design For Manufacturing) の展望
下東勝博 (STARC)
液浸
11:20-11:50 液浸リソグラフィーの現状
中野勝志 (ニコン)
11:50-12:20 ASMLの量産に向けた液浸リソグラフィ装置
森崎健史 (ASML)
12:20-13:30 昼食
13:30-14:00 液浸リソグラフィー技術の現状と課題
小林正道 (キヤノン)
14:00-14:30 次世代液浸リソグラフィ用材料設計
稗田克彦 (JSR)
F2 & EPL
14:30-15:00 F2液浸リソグラフィ
藤井清 (Selete)
15:00-15:30 EPLの開発状況
有本宏 (Selete)
15:30-15:50 休憩
15:50-18:00 ポスターセッション(詳細下記参照)
18:00-19:30 懇親会
7月8日(金)
EUVL
9:45-10:00 Issues and development status of EUVL
S. Okazaki (ASET)
10:00-10:30 Advanced 0.3-NA EUV lithography capabilities at the ALS
P.Naulleau (BNL)
10:30-11:00 Progress of Laser-Produced EUV-Source Research in Leading Project of MEXT
H. Nishimura (Osaka Univ.)
11:00-11:30 High power EUV light source by CO2 laser driven Xe droplets at 100kHz
A. Endo (EUVA)
11:30-12:00 Status of EUV mask blank development at SEMATECH
D. Krick (ISMT)
12:00-13:10 昼食
13:10-13:40 Progress on the Realization of EUV Lithography
N. Harned and T. Morisaki (ASML)
13:40-14:10 Mask and resist development in ASET
I. Nishiyama (ASET)
Nanoimprint
14:10-14:40 Step and Flash Imprint lithography for Silicon Integrated Circuit Applications
M. Smith (Molecular imprints)
14:40-15:10 ナノインプリントとその応用
廣島洋 (AIST)
15:10-15:30 休憩
パネル討論
15:30-17:30 司会:笠間邦彦 (NEC)
題目「DFM (Design For Manufacturing)とMask技術」
ポスターセッションプログラム
EUVL
P1 クライオジェニックXeおよびLiターゲットによるレーザープラズマEUV光源の研究
天野壮 (兵庫県大)
P2 DPP方式高出力EUV光源の開発
新美剛太 (EUVA)
P3 HiNA3露光システムにおけるレジストおよびパターン転写性能の評価
菊池幸子 (ASET)
P4 EUVL用低膨張材料におけるCTE絶対測定のための光ヘテロダイン方式熱膨張計の開発
武市吉正 (ASET)
P5 EUVLミラー加工を目的としたIBF装置の開発
沼田敦史 (EUVA)
P6 高強度EUV照射を用いたリソグラフィー用Mo/Si多層膜ミラーの寿命評価
角谷幸信 (兵庫県大)
P7 EUVAコンタミネーション対策関連開発状況
青木貴史 (EUVA)
P8 EUVAにおけるEUV投影光学系の絶対波面評価
加藤正磨 (EUVA)
P9 低ダメージEUVマスクプロセスの開発
暮石光浩 (HOYA)
P10 ショットリソテックにおけるEUVLマスクブランクス開発の現状
森澤拓 (ショット)
P11 EUVLフォトマスクサブストレート用極低膨張ガラスセラミックス
中島耕介 (オハラ)
P12 EUVL用低欠陥基板の開発
伊藤正文 (旭硝子)
Resist・EB直描
P13 化学増幅型レジストの反応機構と感度・解像度
古澤孝弘 (阪大)
P14 65nm以降のML2用データ処理システム
星野裕美 (富士通)
P15 マスクレス・低加速電子ビームリソグラフィ
稲浪良市 (イービーム)
Mask
P16 EPLマスクインフラの活用
入来信行 (Selete)
P17 凸版印刷におけるEPLマスクの開発状況
住田知也 (凸版印刷)
P18 大日本印刷におけるステンシルマスクの開発状況
北田実 (大日本印刷)
P19 近接効果補正とセルプロジェクション機能
庄司正弘 (NCS)
P20 VSB方式EB装置用マスクデータフォーマット(OASIS.VSB) 鈴木俊夫 (Selete)
P21 標準化フォーマット(OASIS, OASIS.VSB, SEMI P10)を用いたマスクデータハンドリング 栗山幸樹 (大日本印刷)
Nanoimprint
P22 ナノインプリントの細胞培養への応用
桑原孝介 (日立)
P23 ナノキャスティング法による微細構造成形
平井義彦 (大阪府立大)
P24 ソフトテンプレートを用いた室温ナノコンタクトプリント
中松健一郎 (兵庫県大)
P25 微細パタン形成のためのインプリントモールド
出口公吉 (NTT-AT)
新技術
P26 近接場ナノ光インプリント
八井崇 (SORST)
P27 ナノ電極リソグラフィ
横尾篤 (NTT)
P28 2光子結像理論-超解像リソグラフィーを目指して
福武直樹 (ニコン)
P29 非断熱リソグラフィーによるテストパターン転写
川添忠 (SORST)
P30 近接場マスク露光によるサブ 100 nm パタン形成
水谷夏彦 (キヤノン)