11月24日(木) 13:00～17:00

13：00-13：05
Opening Remarks
○松本　智(慶應義塾大学)

13：05-13：30
TCADによるITRSロードマップのMOS構造の再現とその構造における許容ばらつきの検討－Bulk MOSにおける拡散層の許容ばらつきの基礎検討－
○中村 光利(東芝)

13：30-13：55
ダメージ形成の注入条件依存性とその電気特性への影響
○布施 玄秀(住友イートンノバ)

13：55-14：20
クラスターイオン注入による浅接合形成とUSJ’05報告
○黒井 隆・川崎 洋司(ルネサステクノロジ)

14：20-14：45
フォトレジストとの相互作用による中電流チャージアップ
○柴田 聡・上柳 寿子・川瀬 文俊(松下電器)

14：45-15：10　休憩(25分)

15：10-15：35
MOSFETソース/ドレイン形成用Si/SiGe選択エピ成長
○武藤 勝彦(日本ＡＳＭ)

15：35-16：00
Si/SiGeヘテロ構造へのイオン注入欠陥の回復と不純物再分布
○杉井 信之(日立製作所)　石戸谷 洋平・小山 浩司・稲田 太郎(法政大学)

16：00-16：25
Fin型ダブルゲートMOSFETの作製技術
○柳永勛(産業技術総合研究所)

16：25-16：55
次世代SoC向けシリサイド技術
○須黒 恭一(東芝)

16：55-17：00
Closing Remarks