1. (9:30-10:00)
IEDM2005を振り返って（講演者未定）

2. (10:00-10:25)
一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs
入沢寿史、沼田敏典、手塚勉、臼田宏治、中払周、平下紀夫、 杉山直治、豊田英二**、高木信一*
MIRAI-ASET, *MIRAI-AIST, **東芝セラミックス

3. (10:25-10:50)
膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI NMOSFET におけるボリュームインバージョンによる移動度向上
筒井元，齋藤真澄，更屋拓哉，南雲俊治，平本俊郎
東京大学生産技術研究所

4. (10:50-11:15)
Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス
若林整、辰巳徹、五十嵐信行、忍田真希子、*川本英明、*池澤延幸、 **池澤健夫、山本豊二、羽根正巳
NECシステムデバイス研究所、 *NECエレクトロニクス、**NEC情報システムズ

5. (11:15-11:40)
Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス
大田裕之、金永ソク、島宗洋介*、佐久間崇、畑田明良*、片上朗*、 添田武志、川村和郎、小倉輝、森岡博、渡邉崇史、王純志、早見由香、小倉寿典、 森年史、田村直義*、児島学、橋本浩一
富士通、*富士通研究所

昼食 11:40 - 12:45

6. (12:45-13:10)
高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ
大石周、藤井修、***横山孝司、***太田和伸、佐貫朋也、*猪熊英幹、*江田健太郎、 *伊高利昭、*宮島秀史、*岩佐誠一、*山崎博之、**大内和也、*松尾浩司、*永野元、 菰田泰生、岡山康則、***松本拓治、***深作克彦、*清水敬、*宮野清孝、*鈴木隆志、 *矢橋勝典、***堀内淳、竹川陽一、*佐喜和朗、*森伸二、***大野圭一、*水島一郎、 ***斎藤正樹、岩井正明、山田誠司、***長島直樹、松岡史倫
（株）東芝　セミコンダクター社　システムLSI第一事業部 * プロセス技術推進センター ** SoC研究開発センター *** ソニー株式会社　半導体事業グループ　セミコンダクタテクノロジー開発本部

7. (13:10-13:35)
CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング
辻川真平、梅田浩司、川原孝昭、川崎洋司、志賀克哉、 山下朋弘、林岳、由上二郎、大野吉和、米田昌弘
ルネサステクノロジ

8. (13:35-14:00)
低待機時電力HfSiON－CMOSFET技術
高柳万里子、渡辺健、*1飯島良介、*1小山正人、*1小池正浩、 *1井野恒洋、*1上牟田雄一、*2関根克行、*2江口和弘、*1西山彰、石丸一成
（株）東芝　セミコンダクター社　SoC研究開発センター、 *1（株）東芝　研究開発センター、 *2（株）東芝　セミコンダクター社、プロセス技術推進センター

9. (14:00-14:25)
金属／Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 -ゲート金属の設計指針-
白石賢二(1,2)、赤坂泰志（3)、宮崎誠一(4,2)、中山隆史(5)、 中岡高司(1)、中村源治(3)、鳥居和功(3,9)、大田晃生(4)、 Parhat Ahmet(2), 大毛利健治(2)、渡部平司(6,2)、知京豊裕(2)、 Martin Green(7)、奈良安雄(3)、山田啓作(8,2)
(1)筑波大院・数理物質科学研究科、(2)物質・材料研究機構、
(3)㈱半導体先端テクノロジーズ、(4)広島大院・先端物質科学研究科、
(5)千葉大・理学部、(6)大阪大院・工学研究科、
(7)National Institute of Standards and Technology、
(8)早稲田大・ナノテクノロジー研究所、(9)現所属、日立中央研究所

10.(14:25-14:50)
高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成
犬宮誠冶　赤坂泰志　松木武雄　大塚文雄　鳥居和功　奈良安雄
（株）半導体先端テクノロジーズ　第一研究部　フロントエンドプログラム

休憩　14:50-15:10

11. (15:10-15:35)
GIDL を考慮した LSTP 向け FinFET の設計
田中克彦、竹内潔、羽根正巳
NEC システムデバイス研究所

12. (15:35-16:00)
バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
岡野王俊、泉田貴士、川崎博久、金子明生*、八木下淳史*、金村貴永、近藤正樹、伊藤早苗、青木伸俊、宮野清孝*、小野高稔*、矢橋勝典*、岩出健次*、窪田壮男*、松下貴哉*、水島一郎*、稲葉聡、石丸一成、須黒恭一*、江口和弘*、綱島祥隆*、石内秀美
(株)東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター & *プロセス技術推進センター

13. (16:00-16:25)
90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
南 良博、篠 智彰、坂本 篤史*1、東 知輝*2、楠 直樹、藤田 勝之、初田 幸耕、大澤 隆、青木 伸俊、谷本 弘吉、森門 六月生、中島 博臣、井納 和美、浜本 毅司、仁田山 晃寛
（株）東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター *1東芝情報システム（株）*2東芝マイクロエレクトロニクス（株）

16:25-17:00　総合討論