10：00　開会の挨拶

10：05-10：50
１．【基調講演】Low-kプロセスの世代拡張性 - 90nmから45nm世代　-　　
○小林伸好（SELETE）

10：50-11：20
２．45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討
○後藤欣哉（ルネサステクノロジ）・橋井忍（ルネサスセミコンダクタエンジニアリング）・松本雅弘・三浦典子・古澤健志・松浦正純・大崎明彦（ルネサステクノロジ）

11：20-11：50
３．吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響
○藤巻剛・東和幸・中村直文・松永範昭（東芝）・吉田健司（東芝マイクロエレクトロニクス）・羽多野正亮・蓮沼正彦・和田純一・西岡岳・秋山和隆（東芝）・川島寛之・榎本容幸・長谷川利昭（ソニー）・本多健二・岩井正明・山田誠司・松岡史倫（東芝）

-休憩-

13：00-13：30
４．45nmCMOS世代アプリケーション毎のチップ性能最適化のための配線設計コンセプト：ASIS　
○小田典明・井村裕則・川原尚由（NECエレクトロニクス）・田上政由（NEC）・國嶋浩之・曽祢修次・大西貞之・山田健太・角原由美・関根誠（NECエレクト　ロニクス）林喜宏（NEC）・上野和良（NECエレクトロニクス）　

13：30-14：00
５．熱フィラメント水素ラジカル源を用いたCu表面処理
○近藤英一・深澤真也　（山梨大）

14：00-14：30
６．極低酸素分圧を用いたCu酸化物クリーニング技術
○遠藤和彦・白川直樹・吉田良行・池田伸一・三野哲也・御福英史・鈴木英一（産総研）

-休憩-

14：50-15：20
７．Cu　CMPプロセスにおける欠陥がTDDB信頼性に与える影響
○小西信博・山田洋平・野口純司・神保智子（日立）

15：20-15：50
８．低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線
○阿部真理・多田宗弘・大竹浩人・古武直也・成広充・新井浩一・竹内常雄・斉藤忍・伊藤文則・山本博規（NEC）　小田典明・関根誠（NECエレクトロニクス）・林喜宏（NEC）

15：50-16：20
９．細幅Cu配線のストレスマイグレーション
○河野隆宏（富士通）・鈴木貴志・大塚敏志・細田勉・中村友二・水島賢子（富士通研）・塩津基樹・松山英也・庄野健・綿谷宏文・大倉嘉之・佐藤元信・福山俊一・宮嶋基守（富士通）

16:20-16：50
１０．Cu配線構造における応力解析技術
○小寺雅子（東芝）・柿沼繁（堀場製作所）・ペッツォッティ・ジュセッペ（京都工繊大）

17：00　閉会