0.　9:50-10:00
　Welcome address (東大生産技術研究所　平本先生）

1.　10:00-10:30　
(1)タイトル：Symp. on VLSI Tech. 2006を振り返って
(2)著者：最上　徹
(3)所属：(株）半導体先端テクノロジーズ

2.　10:30-11:00
(1)タイトル：45nm世代対応 SiGe埋め込みソース・ドレイン構造のスケーリング技術
(2)著者：太田和伸、*佐貫朋也、**矢橋勝典、宮波勇樹、**松尾浩司、**井手渕純、守屋美夏、*中山和宏、*山口理恵、*田中秀、山崎崇、寺内早苗、堀内淳、藤田繁、**水島一郎、**山崎博之、長岡弘二郎、*大石周、*竹川陽一、大野圭一、*岩井正明、 斉藤正樹、*松岡史倫、長島直樹
(3)所属：ソニー株式会社　半導体事業グループ　セミコンダクターテクノロジー開発本部*株式会社　東芝　セミコンダクター社システムＬＳＩ第一事業部**株式会社　東芝　セミコンダクター社プロセス技術推進センター
(4)登壇者：太田和伸

3. 　11:00-11:30
(1)タイトル： <100>チャネルpMOSFETにおける駆動電流増大の起源 Origin of Drivability Enhancement in Scaled pMOSFETs with 45? Rotated <100> channels
(2)著者： 斎藤　慎一，久本　大，木村　嘉伸，杉井　信之，土屋　龍太，鳥居　和功，木村　紳一郎
(3)所属： （株）日立製作所　中央研究所
(4)登壇者： 斎藤　慎一

4. 　11:30-12:00
(1)タイトル：レーザースパイクアニールとコインプラント技術による接合形成技術を用いたsub-30nm CMOSデバイス
(2)著者：山本知成、*久保智裕、*助川孝江、*橋本浩一、*加勢正隆
(3)所属：富士通研究所、*富士通
(4)登壇者：山本　知成 (YAMAMOTO Tomonari)

休憩　12:00-13:00

5.　 13:00-13:30　
(1)タイトル：hp32 nm ノード以降に向けたPlanar FET周辺回路およびFinFETメモリセルで構成されたBulk FinFET SRAM技術
(2)著者：川崎博久、岡野王俊、*金子明生、*八木下淳史、泉田貴士、金村貴永、笠井邦弘、石田達也、佐々木貴彦、武山泰久、青木伸俊、大塚伸朗、*須黒恭一、*江口和弘、*綱島祥隆、稲葉聡、石丸一成、豊島義明、石内秀美
(3)所属：（株）東芝セミコンダクター社　半導体研究開発センター、*プロセス技術推進センター
(4)登壇者：稲葉　聡

6. 　13:30-14:00
(1)タイトル：高速・低消費電力DRAMのためのVertex Channel (VC) FETの開発
(2)著者：木藤 大、 鬼頭 傑、 勝又 竜太、近藤 正樹、 伊藤 早苗、 *松尾 浩司、*宮野 清孝、 *水島 一郎、 佐藤 充、 田中 啓安、 安武ひとみ、 **永田 祐三、***星野 隆明、 青木 伸俊、 青地 英明、 仁田山 晃寛
(3)所属：㈱東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター*㈱東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター**東芝情報システムテクノロジー ㈱***東芝マイクロエレクトロニクス ㈱
(4)登壇者：木藤　大

7. 　14:00-14:30
(1)タイトル： バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
(2)著者：山口晋平、田井香織、平野智之、安藤崇志、檜山進、Junli Wang、萩本賢哉、長濱嘉彦、加藤孝義、長野香、山中真由美、寺内佐苗、神田さおり、山本亮、館下八州志、田川幸雄、岩元勇人、斉藤正樹、長島直樹、門村新吾
(3)所属：ソニー（株）半導体事業グループ　セミコンダクタテクノロジー開発本部
(4)登壇者：山口晋平

8. 　14:30-15:00　
(1)タイトル：Ni FUSI電極適用による45nmノード LSTP SRAMの閾値ばらつき抑制効果
(2)著者：岡山 康則、*齋藤 友博、*中嶋 一明、*松尾 浩司、*谷口 修一、*小野 高稔、中山 和宏、渡辺 竜太、大石 周、英保 亜弓、菰田 泰生、木村 泰己、濱口 雅史、竹川 陽一、*青山 知憲、*飯沼 俊彦、**深作 克彦、**森本 類、**大島 享介、**大野 圭一、**齋藤 正樹、岩井 正明、山田 誠司、**長島 直樹、松岡 史倫
(3)所属：株式会社東芝　セミコンダクター社　システムLSI事業部*株式会社東芝　セミコンダクター社　プロセス技術推進センター**ソニー株式会社　半導体事業グループ
(4)登壇者：岡山 康則

休憩　15:00-15:20

9. 　15:20-15:50　
(1)タイトル：電極によるチャンネル歪を制御した45nm世代低消費電力デバイス用相制御フルシリサイド(PC-FUSI)/HfSiONゲートスタック
(2)著者：西藤 哲史、小倉 卓、高橋 健介、長谷 卓、戸田 昭夫、五十嵐 信行、忍田真希子、辰巳 徹、渡辺 啓仁
(3)所属：日本電気株式会社　システムデバイス研究所
(4)登壇者：西藤　哲史

10.　15:50-16:20
(1)タイトル：基板イオン注入を用いた45nm Niフルシリサイドゲート/High-k CMISの性能向上
(2)著者：西田 征男、山下 朋弘、山成 真市、東 雅彦、志賀 克哉、村田 直文、水谷斉治、井上 真雄、坂下 真介、森 健壱、由上 二郎、林 岳、清水 昭博、尾田 秀一、栄森 貴尚、土屋 修
(3)所属：株式会社ルネサステクノロジ
(4)登壇者：西田征男(にしだゆきお)

11.　16:20-16:50
(1)タイトル：HfSiONによるゲート仕事関数の制御とプロセス誘起応力による移動度の向上を組み合わせた55nmノードCMOS技術
(2)著者：　*中村英達、中原寧、君塚直彦、阿部倫久、山本一郎、深瀬匡、中山知士、谷口謙介、*増崎幸治、*上嶋和也、*岩本敏幸、*辰巳徹、今井清隆
(3)所属：NECエレクトロニクス、*NEC
(4)登壇者：中村英達

12. 　16:50-17:20
(1)タイトル：HfSix電極からのSi拡散を利用した極薄（EOT < 1nm）HfO2ゲート絶縁膜の形成とハイパフォーマンスデバイスへの適用
(2)著者：安藤崇志、平野智之、田井香織、山口晋平、加藤孝義、萩本賢哉、渡辺浩二、 山本亮、神田さおり、長野香、寺内佐苗、館下八州志、田川幸雄、斉藤正樹、岩元勇人、*吉田慎一、*渡部平司、長島直樹、門村新吾
(3)所属：ソニー（株）半導体事業グループ　セミコンダクタテクノロジー開発本部*大阪大学大学院工学系研究科
(4)登壇者：安藤崇志

13.　17:20-17:40
総合討論