第85回 研究集会
革新的機能化・集積化を実現するためのブレークスルーが緊急かつ不可欠である。そこで、基本素子ＭＯＳＦＥＴのスケーリング則（比例縮小）という概念を超えて、新しい指導原理である「三次元化」の概念を打ち立てた研究会を開催する。本研究会の目的は、将来のユビキタスネット社会にとって必要不可欠な高性能、高機能と低環境負荷、柔軟性などを兼ね備えた次世代デバイスのありかたについて徹底的に議論する。
開催場所
東京工業大学 大岡山キャンパス 東京工業大学百年記念館フェライト会議室
（東京都目黒区大岡山2-12、大井町線或いは目蒲線大岡山駅下車）| テーマ | 次世代デバイスへのブレークスルー＝三次元化の試み＝ |
|---|---|
| オーガナイザー | 寒川誠二（東北大学） 浦岡行治（奈良先端科学技術大学院大学） 高橋康夫（北海道大学） 水田 博（東京工業大学） |
プログラム
(1) はじめに (10:00-10:10)
寒川誠二（東北大学）
(2)講演題目 (10:10-17:00)
10：10-10：40
①積層シリコン構造を持つレーザー結晶化薄膜トランジスタ（奈良先端大・浦岡行治）
10：40-11：10
②FINFET構造の薄膜トランジスタ（琉球大学・野口 隆）
11：10-11：40
③FINFETタイプのSOI MOSFET（東大・平本俊郎）
11：40-12：10
④サラウディングゲート縦型MOSFET（東北大・遠藤哲郎）
13：10-13：40
⑤起立型ダブルゲートＭＯＳトランジスタ（産総研・遠藤和彦）
13：40-14：10
⑥薄膜トランジスタを用いた人工網膜（竜谷大・木村 睦）
14：10-14：40
⑦三次元積層化技術による積層型人工網膜チップの実現（東北大・田中徹）
＜休憩＞
15：00-15：30
⑧シリコン系単電子デバイス（北大・高橋庸夫）
15：30-16：00
⑨MOSプロセスにより作製した細線MOSFETデバイスの単電子ならびにDRAM応用 （NTT・西口 克彦）
16：00-16：30
⑩シリコン系ナノ・量子効果デバイスの理論的研究（秋田大学・堀口誠二）
16：30-17：00
⑪ナノエレクトロメカニカル構造を有するメモリ素子（東工大・水田 博）
(3)まとめ
17：00-17：10
寒川誠二（東北大学）
東工大 百年記念館第一会議室