９：００～９：２５
CZ-Si結晶中Grown-in欠陥の形態に対する窒素ドープの影響
信越半導体（株）
加藤正弘、玉塚正朗、飯田誠、竹野博、音川孝雄、枡井積

９：２５～９：５０
CZ-Si結晶中の酸素析出に及ぼす窒素ドープの影響
信越半導体（株）
相原健、竹野博、速水善範、玉塚正郎、桝井積

９：５０～１０：１５
位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法の最適化
東京工業大学
中田充、呉彰浩、松村正清

１０：１５～１０：４０
多結晶Si膜における堆積温度に依存する結晶性の変化
金沢大学
長谷川誠一、坂田充、土田亮、猪熊孝夫、倉田喜博

１０：４０～１１：０５
Ge/Siヘテロ原子層成長とその界面の評価
東京工業大学、帝京科学大学*
松山元彦、菅原聡、池田圭司、内田恭敬*、松村正清

１１：０５～１１：５５
極薄膜Al2O3単結晶のシリコン基板上への形成と評価
豊橋技術科学大学
石田誠、鄭永哲、三浦裕之

１３：１０～１３：３５
Si(001)表面における水分子のプロトンリレー型解離吸着 －第一原理計算によるアプローチ－
東京大学
赤木和人、塚田捷

１３：３５～１４：００
Siウェハ表面の単独有機物汚染が酸化膜特性に与える影響
(株)富士通研究所、金沢大学*
杉本文利、岡村茂、猪熊孝夫*、倉田喜博*、長谷川誠一*

１４：００～１４：２５
Si上極薄SiOx膜の厚み測定へのSEM像輝度利用可能性
金沢大学
葛西悠葵、田中康紀、橋本松進、飯山宏一、高宮三郎

１４：２５～１４：５０
シリコン酸化膜中のSi 2p光電子の弾性散乱と非弾性散乱
武蔵工業大学、宇宙科学研究所*
野平博司、廣瀬和之*、高橋健介、服部健雄

１５：１０～１５：３５
単電子接合を用いた信号伝達回路による論理演算
東京農工大学
山村耕一郎、須田良幸

１５：３５～１６：００
集積化に適したシリコン単電子トランジスタの新作製手法
NTT
小野行徳、高橋庸夫、山崎謙治、永瀬雅夫、生津英夫、栗原健二、村瀬克実

１６：００～１６：２５
ガス構造設計による選択ラジカル生成法と高精度酸化膜エッチング
日本電気(株)
寒川誠二、向井智徳

１６：２５～１６：５０
CF3基含有シリカ膜の気相堆積
東京工業大学
福村達也、菅原聡、松村正清

１６：５０～１７：１５
低誘電率ポーラスシリカ膜の気相からの形成
帝京科学大学、東京工業大学*
内田恭敬、菅原聡*

１７：１５～１７：４０
スピン塗布法によるCu配線技術
日本真空(株)、真空冶金(株)*
村上裕彦、平川政明、田中千晶、山川洋幸、今関暢哉*、林茂雄*、鈴木敏洋*、小田正明*

１８：１５～ 懇親会