第99回 研究集会
開催場所
機械振興会館 地下3階 研修2号室
営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分
都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
JR浜松町駅下車 徒歩15分 http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
| テーマ | 配線・実装技術と関連材料技術 |
|---|---|
| 担当 | 多層配線システム研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ） |
プログラム
1. (10:00-10:05)
開会の挨拶
2. (10:05-10:50)
《基調講演》シリコンチップ光配線
大橋 啓之（MIRAI-Selete / NEC）
3. (10:50-11:20)
低環境負荷型Cuコンタクト界面洗浄プロセスの構築
大口 寿史, 魚住 宜弘, 松村 剛, 吉水 康人, 中嶋 崇人, 冨田 寛（東芝セミコンダクター社）
4. (11:20-11:50)
32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術
清水 紀嘉、工藤 寛、羽根田 雅希、落水 洋聡、筑根 敦弘、岡野 俊一、大塚 信幸、砂山 理江、鈴木 貴志、北田 秀樹、田平 貴裕、二木 俊郎、杉井 寿博、酒井 久弥1、天利 聡1、松山 英也1（富士通研、1富士通）
5. (11:50-12:20)
Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(keff=2.75)
植木 誠、山本 博規、伊藤 文則、川原 潤、多田 宗弘、竹内 常雄、齋藤 忍、古武 直也、小野寺 貴弘、林 喜宏（NEC）
■ 昼食 12:20 - 13:20
6. (13:20-13:50)
高空孔率（50%）高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜（k=2.1）Cuダマシン多層配線
隣 真一、木下 啓藏、中山 貴博1、高村 一夫2、田中 博文2、平川 正明1、曽田 栄一、清野 豊3、秦 信宏3、吉川 公麿4、斎藤 修一（Selete、1アルバック、2三井化学、3産総研、4広島大学/産総研）
7. (13:50-14:20)
陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関
伊藤 文則、竹内 常雄、山本 博規、林 喜宏、大平 俊行1、鈴木 良一1（NEC、1産総研）
8. (14:20-14:50)
ビア付Cu配線のTDDB信頼性予測
宮崎 博史、児玉 大介、鈴村 直仁（ルネサステクノロジ）
■ 休憩 14:50-15:10
9. (15:10-15:40)
多層銅配線とハイブリッドLow-k構造（porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3) ）を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善
宇佐美 達矢、田上 政由、渡邊 桂1、亀嶋 隆季2、増田 秀顕1、島田 美代子1、側瀬 聡文1、香川 恵永2、中村 直文1、宮島 秀史1、成瀬 宏1、榎本 容幸2、北野 友久、関根 誠（NECエレクトロニクス、1東芝、2ソニー）
10. (15:40-16:10)
自己組織化ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術
小柳 光正、福島 誉史、田中 徹（東北大学）
11. (16:10-16:40)
高Q値ＷＬＰインダクタおよびその5.8GHz帯LC型電圧制御発振器への応用
畠山 英樹1,3、岡田 健一1、大橋 一磨1、伊籐 雄作1、上道 雄介2、小澤 直行2、 佐藤 正和2、相沢 卓也2、伊籐 達也2、山内 良三3、益 一哉1（1東京工業大学、2フジクラ電子デバイス研究所、3フジクラ）
12. (16:40-16:45)
閉会の挨拶