2018年6月25日(月) 第208回研究集会「MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術」を開催いたします。

2018年 06月19日

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開催場所 名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー 3階ベンチャーホール
日時 2018年6月25日(月) 11:00-16:55
テーマ MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術
参加費 分科会会員1,500円,応物・協賛学会会員2,000円,その他4,000円

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