第117回 研究集会
従来、イオン注入法をはじめとする不純物ドーピング技術がトランジスタの電気的特性制御を担ってきた。ところが、トランジスタの微細化に伴い、不純物原子の離散性が顕在化し、ランダムな分布故、不純物の個数・位置がゆらぐ結果、特性ばらつきが深刻な問題となっている。これには、今のところ、不純物原子の個数と位置を完璧に制御するか、あるいは全く使わないトランジスタ構造で対応するしかない。
本研究集会では、不純物ばらつき・制御に焦点を当て、ドーピング技術、アニール技術、ドーパント計測技術の現状と課題を把握し、今後、不純物ドーピングは使えるか、使えるとすればいつまで使えるのか、あるいはもはや使えないのかを議論する。不純物原子の離散性を積極的に利用する試み、不純物に頼らない新構造デバイス開発、ボトムアップによるアプローチを通じて得られる知見を得て、今後の研究開発の方向性を見出すことを目的とする。
開催場所
早稲田大学 早稲田キャンパス 研究開発センター120-5 号館
〒162-0041 東京都新宿区早稲田鶴巻町 513 http://www.waseda.jp/jp/campus/waseda.html| テーマ | 不純物ドーピングの挑戦と将来展望－不純物ドーピングは使えるか？ |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2,000 円 非分科会員 4,000 懇親会費：2,000 円 （参加費・懇親会費は当日お支払い下さい。） |
| オーガナイザー | オーガナイザー：水野文二／UJT ラボ （コーディネーター）：青山敬幸／Selete、川崎洋司／ルネサス、品田賢宏／早大 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合技術研究会 |
| 共催 | SEMI ジャパン |
| お問い合わせ先 | 早稲田大学高等研究所・品田賢宏 E-mail: shinada@aoni.waseda.jp |
プログラム
座長：青山敬幸／Selete、川崎洋司／ルネサス、品田賢宏／早大
13:00-13:10
開会挨拶・趣旨説明（10 分）
品田賢宏／早大
13:10-13:35 ①トランジスタ特性ばらつきの現状と要請（25 分）
不純物ばらつきの現状を把握し、その解決へ向けた問題提起。
平本俊郎／東大
13:35-14:00 ②ドーピング技術の最前線（25 分）
プラズマドーピング、クラスター・分子イオン注入、コイオン注入技術などの紹介。
川崎洋司／ルネサス
14:00-14:25 ③アニール技術の最前線（25 分）
フラッシュ、レーザーアニールなどアクティべーション技術の紹介。
須黒恭一／東芝
14:25-14:50 ④ドーパント計測技術の最前線（25 分）
電子線ホログラフィ、SSRM、STM などの紹介。
西澤正泰／産総研
14:50-15:10 休憩（20 分）
15:10-15:35 ⑤シングルドーパントデバイスの現状と課題（25 分）
不純物の個数・位置を制御する試みの紹介。
田部道晴／静岡大
15:35-16:00 ⑥ノンドープデバイスの現状と課題（25 分）
FD FET, 3D FET など不純物を使わないトランジスタ構造の紹介。
昌原明植／産総研
16:00-16:25 ⑦ボトムアップドーピングの現状と課題（25 分）
ボトムアップ、自己制御的なドーピング技術の紹介。
深田直樹／物材機構
16:25-16:50 討議・まとめ(25 分)
コメンテーター 若林 整／ソニー
16:50-17:00 講評・閉会挨拶(10 分)
水野文二／UJT ラボ
17:30-19:30 懇親会