2010年5月31日（月） 14:30-17:30
第124回 研究集会
| テーマ | Lab から Fab へ ～今使える最先端ドーピング・接合技術 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員 2,000 円／非会員 4,000 円(消費税込) (懇親会 4000円) |
| オーガナイザー | 水野文二（UJT ラボ） (コーディネーター)：柴田 聡（パナソニック）、濱本 成顕(日新イオン機 器)、張 利（東芝） |
| 共催 | SEMI ジャパン |
| 協賛 | IEEE EDS Kansai Chapter |
プログラム
【はじめに】１４：３０－１４：４０ （１０分）
黒井隆様（ルネサスエレクトロニクス）
☆「レーザー３次元アトムプローブを用いたトランジスタの特性ばらつき原因となるドーパント分布の検討」
井上 耕治様（京都大学）１４：４０－１５：０５
☆「Advanced Flash Lamp Annealing technology for 22nm and further device」
樹山弘喜様（大日本スクリーン）１５：０５－１５：３０
☆「三次元フィンデバイスへのコンフォーマルドーピングを実現するセルフレギュレーションプラズマドーピング技術」
佐々木雄一郎様（UJT ラボ）１５：３０－１５：５５
≪休憩≫（１５：５５－１６：１０）
☆「Reduction of Implant Damage for sub-45 nm Device Fabrication」
Dr. Leonard Rubin （Axcelis）１６：１０－１６：３５
☆「高温注入機構を備えた SiC デバイス向けイオン注入装置の開発」
井合 哲也様（日新イオン機器）１６：３５－１７：００
「A new approach of ion Implantation - Control beyond Doping」
伊藤浩之様（Varian) １７：００－１７：２５
【終わりの挨拶】
水野文二様