1. (9:30-9:40)　はじめに　坂本邦博　（産総研）

2. (9:40-10:10)
2010 VLSIシンポジウムを振り返って
若林整　（ソニー(株)）

3. (10:10-10:40)
LaCeシリケート膜を用いたEOT<0.7nmの直接接合high-k/Siの実現とフラットバンド電圧制御
○角嶋邦之、小柳友常、来山大祐、幸田みゆき、宋在烈、佐藤創志、川那子高暢、M.マイマイティ、舘喜一、MK.ベラ、パールハットアヘメト、^*野平博司、筒井一生、西山彰、杉井信之、名取研二、服部健雄、^**山田啓作、岩井洋
（東京工業大学大学院総合理工学研究科、*東京都市大学、**早稲田大学ナノテクノロジー研究所）

4. (10:40-11:10)
ゲートファーストHigh-k MIPS構造の実効仕事関数制御に向けた指針
○細井卓治^(a)、佐伯雅之^(a)、奥雄大^(a)、有村拓晃^(a)、北野尚武^(a)、白石賢二^(b)、山田啓作^(c)、志村考功^(a)、渡部平司^(a)　（(a) 大阪大学大学院工学研究科、
(b)筑波大学大学院数理物質科学研究科、(c) 早稲田大学ナノ理工学研究機構）

5. (11:10-11:40)
40nm世代SRAMにおけるゲート酸化膜界面へのハフニウム導入とシリサイドプロセス最適化によるNBTI起因VMINシフトの抑制
○北村 陽介¹、佐貫 朋也²、松尾 浩司³、清水 敬²、太田 篤²、新屋敷 悠介²、福井 大伸²、星野隆明²、植木 悠介²、安本 明弘²、吉村 尚郎²、浅見 哲也²、親松 尚人²
（ (株)東芝 1セミコンダクター社 イメージセンサー製品技術部、2セミコンダクター社 システムＬＳＩデバイス技術開発部、3研究開発センター デバイスプロセス開発センター ユニットプロセス技術開発部）

昼食 11:40 - 12:40

6. (12:40-13:10)
最先端のSoC製品に向けた新回路設計手法とプロセス技術
○松原義徳、宮本浩二、A. Strojwas^*、細美英一、大井田充^**、江澤弘和、福田昌利、沼田健二
（東芝セミコンダクター社、*PDF Solutions, Inc., **(株)ジェイデバイス）

7. (13:10-13:40)
RTSにおけるキャリアトラップ準位の統計的評価
○寺本章伸¹、藤澤孝文²、阿部健一²、須川成利²、大見忠弘^1,3
（1 東北大学未来科学技術共同研究センター、2東北大学工学研究科、3 東北大学原子分子材料科学高等研究機構）

8. (13:40-14:10)
ランダムテレグラフノイズの統計モデルを用いた微細化SRAMの動作下限電圧ばらつきの解析
○谷沢元昭、大林茂樹、岡垣健、園田賢一郎、永久克己、平野有一、石川清志、土屋修、井上靖朗
（ルネサス エレクトロニクス(株)）

9. (14:10-14:40)
RTNによるSRAM誤動作を直接観測する加速測定法とその製品信頼性評価への応用
○竹内 潔、南雲 俊治、武田 晃一、朝山 忍、横川 慎二、今井 清隆、林 喜宏
（ルネサスエレクトロニクス(株)）

休憩　14:40-14:50

10. (14:50-15:20)
High-k Ge-MISFETにおける電子移動度の更なる向上
○西村知紀^1,2、李　忠賢¹、王　盛凱¹、田畑俊行¹、喜多浩之^1,2、長汐晃輔^1,2、鳥海　明^1,2
（1東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻、2JST-CREST）

11. (15:20-15:50)
(110)面GAAシリコンナノワイヤMOSFETにおけるユニバーサル移動度を超える正孔移動度の向上
○陳　杰智，更屋　拓哉，平本　俊郎　（東京大学生産技術研究所）

12. (15:50-16:20)
Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSテクノロジー
○高木信一、竹中充　（東京大学大学院工学系研究科）

13. 総合討論 (16:20-17:00)