2011年3月7日（月） 13:30-17:00
第135回 研究集会
本研究集会では、先端CMOSデバイス開発のトレンドを把握すると共に、次世代デバイス(SOI, FinFET, III-V FET)、アクティベーション、キャラクタリゼーション等の接合形成技術ならびに関連技術の最前線を学び、今後の研究開発の方向性を見出すことを目的とします。
開催場所
キャンパス・イノベーションセンター東京 多目的室２
〒105-0023 東京都港区芝浦3-3-6JR田町駅より徒歩数分 http://www.cictokyo.jp/access.html
| テーマ | 先端CMOSデバイスに応えるドーパント制御・接合形成・評価技術 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員2,000 円 非分科会員4,000 円（参加費は当日お支払い下さい。） |
| オーガナイザー | 水野文二（UJTラボ） (コーディネーター)：筒井一生（東工大） 品田賢宏（早大） |
| 担当 | 接合技術研究会 |
| お問い合わせ先 | 品田賢宏（早大）shinada@aoni.waseda.jp |
プログラム
(1) 開会の辞(13:30-13:35)
筒井一生（東工大）
(2) 趣旨説明(13:35-13:40)
品田賢宏（早大）
(3) 先端CMOSデバイス開発のトレンド(13:40-14:10)
若林 整（ソニー）
(4) 極薄SOI FET接合技術(14:10-14:40)
島 明生（日立）
(5) FinFETへのドーピング(14:40-15:10)
泉田貴士（東芝）
休憩(15:10-15:20)
(6) III-V FET接合技術(15:20-15:50)
高木信一（東大）
(7) 超低温マイクロ波アニール技術(15:50-16:20)
山口 直（ルネサスエレクトロニクス）
(8) SSRMによるドーパント可視化技術(16:20-16:50)
張 利 （東芝）
(9) まとめ(16:50-16:55)
品田賢宏（早大）
(10)講評・閉会の辞(16:55-17:00)
水野文二（UJTラボ）
研究集会終了後、懇親会を予定しております。