2017年11月16日(木)
第203回 研究集会
第203回研究集会「窒化物半導体パワーデバイスの研究動向」を下記のように開催いたします。今回は窒化物半導体パワーデバイスの最近の研究動向につきまして、ご講演をしていただくことになりました。皆様のご出席を心よりお待ちしております。また、懇親会（4000円程度、会場付近）を考えております。懇親会に参加を希望される方は氏名欄のところで氏名の後に「懇親会参加」と記入していただければ幸いです。どうぞよろしくお願いいたします。
開催場所
産業技術総合研究所臨海副都心センター 別館11階 会議室１
〒135-0064 東京都江東区青海2-3-26 http://www.aist.go.jp/waterfront/ja/access/| テーマ | 窒化物半導体パワーデバイスの研究動向 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会、共催研究会会員2000円 会員外 4000円 |
| オーガナイザー | 寒川誠二（東北大学）、遠藤和彦（産総研）、肥後昭男（東大） |
| 協賛 | フロンティアプロセス研究会、インテリジェントナノプロセス研究会 |
プログラム
発表40分、質疑応答5分
13:00-13:05
開会の挨拶（AIST遠藤）
13:05-13:25
「イントロダクトリートーク"最先端デバイスにおける低温化、低損傷化"」
東北大学 寒川誠二先生（20分）
13:25-14:10
「運動エネルギーで駆動される窒素固定反応によるGaNの室温合成」
東京工業大学 今岡享稔先生(45分)
14:10-14:55
「GaNおよびInGaN薄膜の中性粒子ビーム原子堆積法による低温成膜」
東京エレクトロン 菊地良幸先生(45分)
14:55-15:40 「GaN縦型パワーデバイスへの期待と現状・課題」
名古屋大学 加地徹先生(45分)
15:40-15:50 休憩 (10分)
15:50-16:35
「窒化物半導体パワーデバイスの新展開：材料、デバイス構造、プロセスそれぞれのアプローチ」
東北大学 末光哲也先生(45分)
16:35-17:20
「産総研におけるGaNパワーデバイスの研究開発」
産業技術総合研究所 清水三聡先生 (45分)
17:20-18:05
「N極性GaNHEMTの結晶成長と貫通転位の三次元イメージング」
東北大学 谷川智之先生(45分)
18:10-18:15
閉会の挨拶（東北大学 寒川）
終了後に懇親会を予定
13:00-13:05
開会の挨拶（AIST遠藤）
13:05-13:25
「イントロダクトリートーク"最先端デバイスにおける低温化、低損傷化"」
東北大学 寒川誠二先生（20分）
13:25-14:10
「運動エネルギーで駆動される窒素固定反応によるGaNの室温合成」
東京工業大学 今岡享稔先生(45分)
14:10-14:55
「GaNおよびInGaN薄膜の中性粒子ビーム原子堆積法による低温成膜」
東京エレクトロン 菊地良幸先生(45分)
14:55-15:40 「GaN縦型パワーデバイスへの期待と現状・課題」
名古屋大学 加地徹先生(45分)
15:40-15:50 休憩 (10分)
15:50-16:35
「窒化物半導体パワーデバイスの新展開：材料、デバイス構造、プロセスそれぞれのアプローチ」
東北大学 末光哲也先生(45分)
16:35-17:20
「産総研におけるGaNパワーデバイスの研究開発」
産業技術総合研究所 清水三聡先生 (45分)
17:20-18:05
「N極性GaNHEMTの結晶成長と貫通転位の三次元イメージング」
東北大学 谷川智之先生(45分)
18:10-18:15
閉会の挨拶（東北大学 寒川）
終了後に懇親会を予定
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