2020年1月28日(火) 13:00-16:45
第221回研究集会
| テーマ | IEDM2019特集 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 2,000円，学生 2,000円，その他 4,000円 |
| オーガナイザー | 寺内 衛(甲南大学) |
| 主催 | ULSIデバイス研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 |
プログラム
1. 13:00～13:30 野口 将希（キオクシア）
重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成
2. 13:30～14:00 前川 径一（ルネサス）
Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution
3. 14:00～14:30 太田 健介（キオクシア）
Performance Maximization of In-Memory Reinforcement Learning with Variability-Controlled Hf1-xZrxO2 Ferroelectric Tunnel Junctions
休憩（14:30～14:45）
4. 14:45～15:15 出口 淳（キオクシア）
Can in-memory/Analog Accelerators be a Silver Bullet for Energy-efficient Inference?
5. 15:15～15:45 諸岡 哲（キオクシア）
3D Semicircular Flash Memory Cell: Novel Split-Gate Technology to Boost Bit Density
6. 15:45～16:15 石丸 一成（キオクシア）
Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
レビュー 16:15～16:45 黒田 理人（東北大）
IEDM2019を振り返って
重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成
2. 13:30～14:00 前川 径一（ルネサス）
Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution
3. 14:00～14:30 太田 健介（キオクシア）
Performance Maximization of In-Memory Reinforcement Learning with Variability-Controlled Hf1-xZrxO2 Ferroelectric Tunnel Junctions
休憩（14:30～14:45）
4. 14:45～15:15 出口 淳（キオクシア）
Can in-memory/Analog Accelerators be a Silver Bullet for Energy-efficient Inference?
5. 15:15～15:45 諸岡 哲（キオクシア）
3D Semicircular Flash Memory Cell: Novel Split-Gate Technology to Boost Bit Density
6. 15:45～16:15 石丸 一成（キオクシア）
Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
レビュー 16:15～16:45 黒田 理人（東北大）
IEDM2019を振り返って