2023年1月30日(月) 13:05～16:55
第240回 研究集会
開催場所
機械振興会館 地下3F B3-1会議室（対面による開催）
※新型コロナウィルスの感染状況により開催が困難になった場合には、全面オンラインに切り替えます。| テーマ | IEDM特集 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 2,000円 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
(1) 13:05～13:10
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:10～13:40
セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発
張 文馨（産業技術総合研究所）
(3) 13:40～14:10
高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋 和晃（半導体エネルギー研究所）
(4) 14:10～14:40
107以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nm iPMA型Hexa-MTJ
永沼 博（東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 14:55～15:25
RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造
朝羽 俊介（東芝デバイス&ストレージ、東芝 研究開発センター）
(6) 15:25～15:55
Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
宮武 悠人（東京大学）
(7) 15:55～16:25
未来のテラヘルツ応用のための共鳴トンネルダイオード発振器
鈴木 左文（東京工業大学）
(8) 16:25～16:55
IEDM2022を振り返って
黒田 理人（東北大学）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:10～13:40
セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発
張 文馨（産業技術総合研究所）
(3) 13:40～14:10
高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋 和晃（半導体エネルギー研究所）
(4) 14:10～14:40
107以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nm iPMA型Hexa-MTJ
永沼 博（東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 14:55～15:25
RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造
朝羽 俊介（東芝デバイス&ストレージ、東芝 研究開発センター）
(6) 15:25～15:55
Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
宮武 悠人（東京大学）
(7) 15:55～16:25
未来のテラヘルツ応用のための共鳴トンネルダイオード発振器
鈴木 左文（東京工業大学）
(8) 16:25～16:55
IEDM2022を振り返って
黒田 理人（東北大学）