2023年11月09日(木) 10:25～16:45
2023年11月10日(金) 10:30～16:20
2023年11月10日(金) 10:30～16:20
第246回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
（現地開催場所：機械振興会館 5階 5S-2 会議室 定員25名）
※人数の制約もあり現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
(東京メトロ日比谷線 神谷町駅から徒歩8分またはJR浜松町駅から徒歩15分)
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 シリテク分科会会員 2,000円 その他 4,000円 学生 無料 |
| 共催 | 電子情報通信学会 |
プログラム
11月9日(木) 午前 （10：25～12：10）
−−− 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） −−−
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］SISPAD2023レビュー
○田中 一（阪大）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望
○須田 淳（名大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月9日(木) 午後 （13：10～16：45）
(3) 13:10 - 14:00
［招待講演］最先端ロジックデバイスの最新動向とプロセス技術
○山本知成（東京エレクトロン）
(4) 14:00 - 14:50
［招待講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析
○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 15:05 - 15:55
［招待講演］超伝導量子コンピュータの現状と課題
○阿部英介（理研）
(6) 15:55 - 16:45
［招待講演］シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発
○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研）
11月10日(金) 午前 （10：30～12：10）
(7) 10:30 - 11:20
［招待講演］強束縛近似法と有限差分時間領域法に基づくグラフェン表面プラズモン伝搬のシミュレーション
○相馬聡文・扇澤祥太（神戸大）
(8) 11:20 - 12:10
［招待講演］キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション
○橋本風渡・鈴木刀真・三成英樹・中﨑暢也・小町 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・佐野伸行（筑波大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月10日(金) 午後 （13：10～14：25）
(9) 13:10 - 14:00
［招待講演］極低温におけるMOSFETのノイズ源
○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研）
(10) 14:00 - 14:25
高精度デバイスモデリング手法の検討 -ニューラルネットワークと線形回帰の比較-
○中田賢吾・森 貴之・井田次郎（金沢工大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月10日(金) 午後 （14：40～16：20）
(11) 14:40 - 15:30
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価
○前田拓也（東大）
(12) 15:30 - 16:20
［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析
○小野倫也（神戸大）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
−−− 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） −−−
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］SISPAD2023レビュー
○田中 一（阪大）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望
○須田 淳（名大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月9日(木) 午後 （13：10～16：45）
(3) 13:10 - 14:00
［招待講演］最先端ロジックデバイスの最新動向とプロセス技術
○山本知成（東京エレクトロン）
(4) 14:00 - 14:50
［招待講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析
○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
(5) 15:05 - 15:55
［招待講演］超伝導量子コンピュータの現状と課題
○阿部英介（理研）
(6) 15:55 - 16:45
［招待講演］シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発
○浅井栄大・飯塚将太・最上 徹・服部淳一・福田浩一・池上 努・加藤公彦・岡 博史・森 貴洋（産総研）
11月10日(金) 午前 （10：30～12：10）
(7) 10:30 - 11:20
［招待講演］強束縛近似法と有限差分時間領域法に基づくグラフェン表面プラズモン伝搬のシミュレーション
○相馬聡文・扇澤祥太（神戸大）
(8) 11:20 - 12:10
［招待講演］キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション
○橋本風渡・鈴木刀真・三成英樹・中﨑暢也・小町 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・佐野伸行（筑波大）
−−− 昼食 （ 60分 ） −−−
11月10日(金) 午後 （13：10～14：25）
(9) 13:10 - 14:00
［招待講演］極低温におけるMOSFETのノイズ源
○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研）
(10) 14:00 - 14:25
高精度デバイスモデリング手法の検討 -ニューラルネットワークと線形回帰の比較-
○中田賢吾・森 貴之・井田次郎（金沢工大）
−−− 休憩 （ 15分 ） −−−
11月10日(金) 午後 （14：40～16：20）
(11) 14:40 - 15:30
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価
○前田拓也（東大）
(12) 15:30 - 16:20
［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析
○小野倫也（神戸大）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分