2024年6月21日(金) 11:00〜16:20
第250回 研究集会
開催場所
関西学院大学 大阪梅田キャンパス1004教室
※本研究集会は対面のみとなります。| テーマ | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化−材料・プロセス技術 （電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会との合同開催） |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・一般：シリテク分科会会員 3,300円 ・一般：非会員 5,500円 ・学生：会員 500円 ・学生：非会員 1,100円 ・学生(聴講のみ)：会員・非会員 無料 |
| 主催 | 本分科会・表面・界面・シリコン材料研究委員会主催 |
プログラム
(1) 11:00-11:35
［招待講演］絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響
○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森 竜雄（愛工大）
(2) 11:35-12:10
［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測
○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）
(3) 12:10-12:45
［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化
○森 伸也（阪大）
−−− 12:45-14:00 昼食（ 75分 ） −−−
(4) 14:00-14:35
［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証
○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・
須田 淳・天野 浩（名大）
(5) 14:35-15:10
［招待講演］光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ
○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川 学・小川新平（三菱電機）
(6) 15:10-15:45
［招待講演］大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価
○吉武道子（OSX）
(7) 15:45-16:20
［招待講演］有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構
〜 伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証 〜
○吉田弘幸（千葉大）
［招待講演］絶縁膜/半導体界面における表面ポテンシャル分布がMOSキャパシタの電気特性に与える影響
○田岡紀之・一野祐亮・清家善之・森 竜雄（愛工大）
(2) 11:35-12:10
［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測
○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）
(3) 12:10-12:45
［招待講演］ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化
○森 伸也（阪大）
−−− 12:45-14:00 昼食（ 75分 ） −−−
(4) 14:00-14:35
［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証
○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・
須田 淳・天野 浩（名大）
(5) 14:35-15:10
［招待講演］光ゲート効果による高感度グラフェン可視光イメージセンサ
○嶋谷政彰・福島昌一郎・岩川 学・小川新平（三菱電機）
(6) 15:10-15:45
［招待講演］大規模言語モデル用材料分野ベンチマーク作成とそれによるChatGPT・Bardの評価
○吉武道子（OSX）
(7) 15:45-16:20
［招待講演］有機半導体のエネルギーバンド構造と電気伝導機構
〜 伝導帯バンド構造の実測とポーラロン形成の実証 〜
○吉田弘幸（千葉大）
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