2024年7月11日(木) 13:00〜16:40
第251回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス13F 1301教室
https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm
■オンライン：Zoom予定
| テーマ | SiC MOS界面キャリア輸送モデリングの新展開 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 2,000円 |
| 主催 | モデリング研究委員会 |
プログラム
(1) 13:05-13:55
[招待講演] 次世代SiCパワーデバイスの性能向上に向けたMOSチャネル移動度のモデル化
畠山哲夫（富山県立大学）
(2) 13:55-14:45
[招待講演] SiC MOSFETのチャネル伝導度抑制要因の探究
吉岡裕典（産総研）
−−− 14:45-15:00 休憩（15分） −−−
(3) 15:00-15:50
[招待講演] 金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成
原 征大1, 北脇 武晃1, 桑原 功太朗1, 田中 一1, 2, 金子 光顕1, 木本 恒暢1
（１京都大学、２大阪大学）
(4) 15:50-16:40
[招待講演] SiCにおける反転層移動度および高電界輸送現象のシミュレーション
田中 一、村上 勇徳、永溝 幸周、森 伸也（大阪大学）
[招待講演] 次世代SiCパワーデバイスの性能向上に向けたMOSチャネル移動度のモデル化
畠山哲夫（富山県立大学）
(2) 13:55-14:45
[招待講演] SiC MOSFETのチャネル伝導度抑制要因の探究
吉岡裕典（産総研）
−−− 14:45-15:00 休憩（15分） −−−
(3) 15:00-15:50
[招待講演] 金属/高濃度ドープSiC非合金化界面トンネル現象の理解に基づく低抵抗オーミック接合形成
原 征大1, 北脇 武晃1, 桑原 功太朗1, 田中 一1, 2, 金子 光顕1, 木本 恒暢1
（１京都大学、２大阪大学）
(4) 15:50-16:40
[招待講演] SiCにおける反転層移動度および高電界輸送現象のシミュレーション
田中 一、村上 勇徳、永溝 幸周、森 伸也（大阪大学）
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予め、外部へのアクセスやダウンロードが可能なメールアドレスにて参加登録ください。
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