第62回 研究集会
超高速情報通信システムの高度化のために、SiGeをベースとしたIV族混晶半導体を用いた超高速情報通信・処理デバイスの進展が待望されています。電気学会超高速SiGeデバイス材料技術調査専門委員会では、電子材料技術、デバイス応用、回路設計などの専門家を交えて、現状の問題点を明らかにし、今後の研究開発指針を得るために、2年間調査検討を進めてきました。その活動最終報告会として、応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 Si新機能デバイス研究委員会と共催で、研究集会を開催します。多数の皆様に参加頂きご議論頂くようお願い申し上げます。
開催場所
東京農工大学 工学部 新１号館 １F 0111番大講義室
小金井市中町2-24-16、中央線東小金井駅南口から徒歩8分、武蔵小金井駅南口 https://annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/map62.GIF| テーマ | 超高速SiGeデバイス材料技術の最新動向 |
|---|---|
| 参加費 | 参加費2400円（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会会員、電気学会会員） |
| 共催 | 電気学会 超高速SiGeデバイス材料技術調査専門委員会 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 Si新機能デバイス研究委員会 |
プログラム
（１）はじめに 室田淳一 （東北大学） ＜10:00-10:10＞
（２）SiGeCプロセスにおけるガス精製／除害技術 ＜10:10-10:30＞
富田修康、羽坂 智 （日本酸素）
（３）超高速SiGeデバイス量産に向けた縦形SiGeエピタキシャル成長装置 ＜10:30-10:50＞
国井泰夫、黒河治重、室田淳一* （日立国際電気、*東北大学）
（４）枚葉式エピ装置とSi/SiGe系薄膜成長への適用 ＜10:50-11:10＞
武藤勝彦 （日本エー・エス・エム）
（５）無歪SiGeバッファー層の欠陥制御と高品質化 ＜11:10-11:30＞
酒井 朗、財満鎭明、安田幸夫 （名古屋大学）
（６）基板非加熱ECRプラズマ照射によるSi-Ge系薄膜のCVDエピタキシャル成長＜11:30-11:50＞
櫻庭政夫、武藤大祐、森 聖樹、菅原勝俊、室田淳一 （東北大学）
（７）非晶質基板上におけるSiGe薄膜の低温成長 ＜11:50-12:10＞
宮尾正信、角田 功、菅野裕士、佐道泰造、権丈淳 （九州大学）
昼食 ＜12:10-13:30＞
（８）GeドットデバイスとSiGe共鳴トンネルデバイス ＜13:30-13:50＞
須田良幸、北山大祐、前川裕隆 （東京農工大学）
（９）SiGe-PINダイオードの高速リカバリメカニズム ＜13:50-14:10＞
廣瀬文彦 （山形大学）
（10）歪み制御によるショットキーバリアエンジニアリングを用いたサブ100nmショットキーソース/ドレインMOSFET＜14:10-14:30＞
池田圭司、山下良美、遠藤 聡、彦坂康己、三村高志 （富士通研究所）
（11）SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面準位密度の直接測定と低周波雑音特性＜14:30-14:50＞
土屋敏章、室田淳一* （島根大学，*東北大学）
（12）サブ0.1um SOI-MOSFETのためのSiGe Elevated Source/DrainとNiSilicide ＜14:50-15:10＞
栗野浩之、坂口武史、呉 赫宰、沈 正七、小柳光正 （東北大学）
休憩 ＜15:10-15:30＞
（13）高性能サブ100nm CMOS用の新しい多結晶ゲート制御技術 ＜15:30-15:50＞
上嶋和也 （日本電気）
（14）ひずみSOI CMOS技術 ＜15:50-16:10＞
高木信一*,***、水野智久**、手塚 勉**、杉山直治**、 沼田敏典**、臼田宏治**、中払周**、守山佳彦**、古賀淳二**、田邊顕人**、 平下紀夫**、 入沢寿史**、 前田辰郎***（*東京大学、**MIRAI-ASET、***MIRAI-AIST ）
（15）SiGeデバイスの無線端末への適用 ＜16:10-16:30＞
末松憲治、谷口英司、新庄真太郎 （三菱電機）
（16）SiGe HBT/BiCMOSの高速・高周波通信用ICへの応用 ＜16:30-16:50＞
増田 徹、白水信弘、中村宝弘、花沢 聡、田邊正倫、三浦 真、冨成達也、島本裕己、橋本 尚、原田 卓、長嶋敏夫、鷲尾勝由 （日立）
（17）まとめ 財満鎭明 （名古屋大学） ＜16:50-17:00＞