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受賞者一覧 (所属は受賞時)

第14回 (2022年度)

論文賞

受賞者 米田 淳1, 武田 健太2, 野入 亮人2, 中島 峻2, Sen Li 2, 神岡 純 3, 小寺 哲夫 1, 樽茶 清悟 2
(1 東京工業大学, 2 理化学研究所, 3三菱電機株式会社/東京工業大学・社会人博士課程)

受賞対象論文
論文名
“Quantum non-demolition readout of an electron spin in silicon”
雑誌名
Nature Communications, 11巻, pp. 1-7. (2020) OPEN
著者名
J. Yoneda, K. Takeda, A. Noiri, T. Nakajima, S. Li , J. Kamioka, T. Kodera, S. Tarucha

論文賞

受賞者 隅田 圭, 陳 家驄, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一
(東京大学)

受賞対象論文
論文名
“Optimum Channel Design of Extremely-Thin-Body nMOSFETs Utilizing Anisotropic Valley—Robust to Surface Roughness Scattering”
雑誌名
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, Issue 4, pp. 2115–2121, April 2022
著者名
Kei Sumita, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi

研究奨励賞

受賞者 濱田 昌也(東京工業大学)

受賞対象論文
論文名
“ZrS2 symmetrical-ambipolar FETs with near-midgap TiN film for both top-gate electrode and Schottky-barrier contact”
雑誌名
Japanese Journal of Applied Physics, 61, (2022) SI1003-1~-5
著者名
Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, and Hitoshi Wakabayashi

研究奨励賞

受賞者 平田 瑛子(ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)

受賞対象論文
論文名
“Structural and electrical characteristics of ion-induced Si damage during atomic layer etching”
雑誌名
Japanese Journal of Applied Physics,Vol60, SBBH05-1~5 (2021)
著者名
Akiko Hirata1, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, Yoshiya Hagimoto, and Hayato Iwamoto

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