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受賞者一覧 (所属は受賞時)
第11回 (2019年度)
論文賞
受賞者 ヒンマ フィルダス1, 渡邊 時暢1, 堀 匡寛1, ダニエル モラル1, 高橋 庸夫2, 藤原 聡3, 小野 行徳1
(1 静岡大学, 2 北海道大学, 3 日本電信電話株式会社)
受賞対象論文
論文名 “Electron aspirator using electron–electron scattering in nanoscale silicon”
雑誌名 Nature Communications, vol. 9, pp. 4813-1-8, December 2018
著者名 Himma Firdaus, Tokinobu Watanabe, Masahiro Hori, Daniel Moraru, Yasuo Takahashi, Akira Fujiwara and Yukinori Ono
論文賞
受賞者 岡本 大典1, 鈴木 康之1, 萩原 靖彦2, 栗原 充2, 中村 隆宏1, 蔵田 和彦2
（1 光電子融合基盤技術研究所, 2 アイオーコア株式会社）
受賞対象論文
論文名 ”25 Gb/s x four-channel chip-scale optical receiver operating at up to 85 oC with a temperature-compensation function”
雑誌名 Japanese Journal of Applied Physics, 58, pp. SBBE04-1-6, 2019
著者名 Daisuke Okamoto, Yasuyuki Suzuki, Yasuhiko Hagihara, Mitsuru Kurihara, Takahiro Nakamura, and Kazuhiko Kurata
研究奨励賞
受賞者 加藤公彦(東京大学)
受賞対象論文
論文名 “ZnO/Si and ZnO/Ge bilayer tunneling field effect transistors: Experimental characterization of electrical properties”
雑誌名 Journal of Applied Physics, vol. 125, pp. 195701-1-10, May 2019
著者名 Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
研究奨励賞
受賞者 堀 匡寛(静岡大学)
受賞対象論文
論文名 “Charge Pumping Under Spin Resonance in Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor Transistors”
雑誌名 Physical Review Applied, vol.11, pp. 064064-1-12, June 2019
著者名 Masahiro Hori and Yukinori On
