活動報告書

平成１１年度事業報告

事業報告（平成11年4月～平成12年3月）

平成10年2月に発足したシリコンテクノロジー研究会は、平成11年4月より、支部･分科会支援金80万円を活動支援金として頂戴して、分科会として新たなスタートを切った。本分科会の大きな特徴は、インターネットを研究会発足時より活用している点にある。会員数は、2000年2月19日現在495名に達している。昨年度は、以下に報告する8回の研究集会、薄膜・表面物理分科会との共催の｢極薄シリコン酸化膜の形成･評価･信頼性｣に関する第5回研究会（NTT御殿場経営研修所、1月21日・22日）、応用物理学会と薄膜・表面物理分科会の北陸信越支部との共催の"シリコンスクールin 金沢"（金沢大、1月28日・29日）を開催した。

第8回（研究会発足時からの通し番号）研究集会（農工大、4月23日、講演11件、参加者167名）が、｢光るシリコンープロセス・素子技術の新展開｣のテーマで開催され、種々の系や発光波長帯を対象としてシリコン発光現象の全体像について活発に討論された。

第9回研究集会（第2回ミニ学術講演会、東工大、5月26日）の企画に対して、春季学術講演会の発表内容をベースとした材料、プロセス、デバイスと広範囲にわたる16件の研究発表の申し込みがあり、プログラム委員会における選考の結果、全て採択された。これに加えて現在ホットな話題となっている高誘電率膜に関する石田誠氏（豊橋科技大）の招待講演を企画し、161名の参加があった。

第１０回研究集会（阪大、6月2日、11件、157名）は、｢ポリメタル及びメタルゲート／高・強誘電体｣のテーマで開催され、次世代以降のシステムLSIへの適用を踏まえて金属配線層以前に用いる新材料ゲート電極プロセスと高・強誘電膜の基本特性やデバイスへの適用可能性などについて活発に討論された。

第11回研究集会（武蔵工大、7月23日、11件、167名）は、｢光リソグラフィ技術の限界とその突破｣のテーマで開催され、現状のKrFエキシマレーザリソグラフィ技術課題とその適用限界についての講演があり、露光技術およびパタン設計の工夫による高解像化への可能性が、ArFなどの短波長化による高解像化と対比して議論された。

第12回研究集会（第３回ミニ学術講演会、10月19日、武蔵工大）の企画に対して、9件の研究発表の申し込みがあり、151名の参加があった。これまでに行った3回のミニ学術講演会に共通して言えることは、年2回の学術講演会では分野の違いのために講演を殆ど聴く機会のなかった方々による全く違った視点からの興味深い質疑が十分行われ、多くの分野を縦断し総合化した魅力ある講演会に育ちつつあることである。

第13回研究集会（慶大、11月12日、13件、151名）は、｢シリコンウエーハの表面・界面｣のテーマで開催され、水によるSi洗浄のメカニズムとその結果得られる表面、高信頼性Si酸化膜に重大な影響を及ぼす有機物汚染、Cu汚染などについて活発に討論された。

第14回研究集会（東洋大、1月14日、16件、135名）は、｢システム-オン-チップとULSIデバイス技術｣のテーマで開催され、システム-オン-チップ（SOC）におけるデバイス技術の面からの課題や問題点について活発に討論されるとともに、SOC時代には個性を発揮できるとの前途に希望の持てる意見が出た。

第15回研究集会（東大、2月18日、7件、138名）は、｢超高速多層配線技術の課題と展望｣のテーマで、GHz高速配線における課題と問題点に関する講演と活発な討論および現在精力的に進められている新しい新配線プロセス工程ならびに低抵抗Cu配線技術の信頼性についての議論が行われた。