活動報告書
平成１２年度事業報告
事業報告（平成12年4月～平成13年3月）
2年前に発足したシリコンテクノロジー分科会は、本学会の手厚いご支援を得て、3月3日現在会員数６７5名を擁する本学会で3番目に大きな分科会に成長した。昨年度、本分科会を構成する委員会の数は5から8に拡大して研究会活動が益々活発化し、以下に報告する12回の研究集会に加えて、本分科会主催の接合技術に関する第1回国際ワークショップ（12月6日、講演9件、パネル討論、参加者110名）を研究活性化支援金60万円を頂戴してアジア地区で初めて開催し、接合技術に関する活発な討論がなされた。また、薄膜・表面物理分科会との共催の｢極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性｣に関する第６回研究会（熱川ハイツ、1月26日・27日、講演23件、ポスター発表41件、153名）、ADMETA委員会との共催のAdvanced MetallizationConference 2000: Asian Session（東大山上会館、10月18日、Tutorial、101名、10月19日・20日、講演22件、ポスター発表22件、118名）を開催した。
第16回研究集会(青学大、4月24日、講演8件、142名 )が「シリコン結晶」のテー マで開催され、シリコン結晶の一層の高品質化の観点から、結晶成長段階で高品質化する為のgrown-in欠陥の制御、結晶を加工後のウエハーとしての完全性とその制 御、それぞれの課題と解決の方向に関して活発に討論された。
第17回研究集会(阪大、5月29日、9件、138名)は関西で初めて開催された第4回ミニ学術講演会で、SiO2/Si界面、Si原子層成長からSOIデバイス、ポリSiやCMPまでの多くの分野に跨る研究報告と活発な質疑応答がなされた。
第18回研究集会(農工大、6月23日、12件、172名) が｢SiGe(C)の材料技術とデバイス技術の新展開｣のテーマで開催され、原子スケール成長制御、ヘテロ界面制御、電子構造、デバイス化技術、応用デバイスに至る、広範囲の角度から議論された。
第19回研究集会(東工大、9月1日、11件、99名)が「接合技術」のテーマで開催 され、サブ100nmのLSIを形成するために重要となる極浅接合を実現するための形成技術、装置とその将来像に関して活発に討論された。
第20回研究集会(機会振興会館、9月21日・22日、21件、130名)が「プロセス・デバイス・回路シミュレーション（統計モデリングも含む）」のテーマで、電子情報通信学会の「シリコン材料・デバイス研究会（SDM）」、「VLSI設計技術研究会（VLD）」との共催で開催された。両分野にまたがる内容の講演と活発な議論がなされた。
第21回研究集会(東工大、10月6日、11件、134名)として、第5回ミニ学術講演会が開催された。材料・プロセス・デバイス・回路の分野に跨る興味深い研究報告がなされ、活発な質疑応答が行われた。
第22回研究集会(武蔵工大、10月27日、6、133)が「デバイスの要求条件に対して、リソグラフィはどこまで応えられるのか？”?ArFはどこまでいけるか？NGLの可能性は？」のテーマで開催され、デバイス設計側からの微細加工の要求に対し、リソグラフィの立場からどう応えることができるかについての議論を行った。従来のリソグラフィの延長で対応できるのか、又は将来のリソグラフィを採用するべきなのかについて、活発に討論された。
第23回研究集会（東工大、11月1日・2日、23件、180名）が｢ゲート絶縁膜技術及びデバイス・プロセス技術／混載LSI・システム集積化｣のテーマで開催され、Sub-0.1umCMOSデバイスの実用化に不可欠な高誘電率ゲート絶縁膜、および新しい集積システム実現へ向けての混載技術、混載LSIについてシステム・オン・チップ(SoC)、システム・イン・パッケージ(SiP)を中心に活発な討論がなされた。
第24回研究集会(慶応大、11月15日、7件、145名)が「次世代バックエンドプロセスシミュレーション」のテーマで開催され、プラズマプロセスのモデリングの現状と展望に加え、デバイス設計とプロセス設計の立場からモデリングとTCADへの提言がなされた。
第25回研究集会(武蔵工大、1月24日、13件、160名)が｢ULSIデバイス関連｣ のテーマで開催され、IEDMにおいて日本から発表されたMOSFETに関連する講演の内13件の日本語による講演、デバイス関連とHigh-k関連のトピックスについて紹介がなされ、活発な質疑応答がなされた。
第26回研究集会（機械振興会館、1月30日、10件、140名）が｢配線技術｣のテーマで、応用電子物性分科会、電子情報通信学会の「シリコン材料・デバイス研究会（SDM）」との共催で開催された。現在精力的に研究開発が進められているCu/Low-kintegrationについて特にプロセスサイドからの最新の話題が活発に論じられた。
第27回研究集会(東工大、3月1日、11件、160名)が｢シリコンナノテクノロジー-スケーリング則を超えて｣のテーマで開催され、わが国のシリコンナノテクノロジー研究が今後進むべき道に関して、わが国におけるシリコンテクノロジーに関する研究環境の変化、アメリカを中心としたナノテクノロジー研究に対する戦略を踏まえて、活発な議論がなされた。