研究集会
2024年度
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主催 第253回 研究集会
日 時：2024年11月07日(木) 10:25～15:55
2024年11月08日(金) 10:30～16:20場 所：ハイブリッド開催
■現地開催場所：機械振興会館 5階 5S-2 会議室（定員25名）
※ 機械振興会館：〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
(東京メトロ日比谷線 神谷町駅から徒歩8分またはJR浜松町駅から徒歩15分)
※人数の制約もあり現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
■オンライン：Zoom予定テーマ：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 -
主催 シリコンテクノロジー・チュートリアル ２０２４
日 時：2024年10月26日(土) 10:00-17:40場 所：今回、ハイブリッド形式を予定しており、現地参加（東京大学・武田先端知ビル内、武田ホール。先着200名）とオンライン参加（Zoom予定）を分類して受け付けます。現地参加の場合、参加費割引があります。学生の皆さんは、現地・オンライン参加いずれも無料で参加できます。ただし、会場都合から現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
「オンライン参加」を申込頂いた方へは、後日、Zoom接続情報をお送りします。
「現地参加（参加費割引あり）」を申込いただいた方は直接現地にお越し下さい。Zoom接続情報は提供されませんのでご注意下さい。
参加申込者全員に講演資料のダウンロード方法をご案内いたします。テーマ：CMOS回路の基礎から3次元集積技術まで：先端半導体技術チュートリアル -
主催 第252回 研究集会
日 時：2024年8月26日(月) 12:55〜17:40場 所：ハイブリッド開催
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス13F 1301教室（先着100名）
https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm
■オンライン：Zoom予定テーマ：VLSIシンポジウム特集 -
主催 第251回 研究集会
日 時：2024年7月11日(木) 13:00〜16:40テーマ：SiC MOS界面キャリア輸送モデリングの新展開 -
主催 第250回 研究集会
日 時：2024年6月21日(金) 11:00〜16:20場 所：関西学院大学 大阪梅田キャンパス1004教室テーマ：MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化−材料・プロセス技術
（電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会との合同開催） -
主催 第249回 研究集会
日 時：2024年2月21日(水) 10:00～17:00場 所：ハイブリッド開催
■対面：東京大学 本郷/工学部4号館/3階42教室（先着50名）
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
■オンライン：Zoom予定テーマ：配線・実装技術と関連材料技術 -
主催 第248回 研究集会
日 時：2024年2月20日(火) 13:00～17:35場 所：ハイブリッド開催
■対面：東京大学 / 本郷キャンパス工学部 4号館 3階 42講義室（先着50名）
https://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
■オンライン：Zoom予定テーマ：半導体微細加工の新しいチャレンジ -
主催 第247回 研究集会
日 時：2024年1月31日(水) 12:30～16:20場 所：ハイブリッド開催
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス（先着100名）
■オンライン：Zoom予定
※学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。テーマ：IEDM特集